功率LDMOS阈值电压温度系数的优化分析

讨论高压LDMOS阈值电压的温度特性,并给出了它的温度系数计算公式.根据计算结果,可以得到以下结论:通过提高沟道掺杂浓度或减少栅氧化层能够降低阈值电压随温度的变化.阈值电压的温度系数可以用温度的线性表达式来计算,从而可以得出功率LDMOS阈值电压的温度系数最优化分析.     

一种用于深亚微米电路模拟的高精度MOST宏模型

提供了一种新的方法,用于建立深亚微米电路中MOST的伏安特性方程.该方法根据深亚微米MOST的数值模拟结果或实测结果,直接将小尺寸MOST特性方程用函数拟合技术,在M atlab中用程序实现,所建立的伏安特性方程没有非饱和区、饱和区的间断点,是一个不分区间的统一表达式.对所得到的结果进行了计算验证,证明了建模方法和结果的正确性.     

一种多重约束下的NoC电压频率岛划分方法

针对高性能低功耗的片上网络设计问题,提出一种多重约束下的电压频率岛划分方法.该方法以优化片上网络系统总能耗为目标,综合考虑电压频率岛个数、传输延时及网络中各PE节点的可靠性等多重约束条件,构建了适用于ILP的数学模型以解决片上网络的电压频率岛划分问题.使用LPSolve求解器对所建模型求解,并从E3S测试基准中选用多组测试用例和一个多媒体系统实例,验证了该方法的有效性.实验结果表明,该电压频率岛划分方法可在满足多重约束条件的同时,更加合理地划分片上网络的电压频率岛,有效地降低网络能耗.相比于随机划分方法和其他经典的划分方法,该方法可降低能耗9.1%~33.6%和16.7%.     

MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型

在超深亚微米MOS器件中,量子效应对器件特性的影响很大.根据改进后的三角势场近似和曲线拟合,同时对MOS器件反型层和多晶硅栅中电子的量子效应进行了建模,得到了一个基于物理的解析模型,利用该模型计算MOS器件的阈值电压,与数值模拟的结果比较表明,模型的精度令人满意.