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本文介绍了一台体积小、队式结构、并有多处电压抽头的350KV高频高压电源的设计和研制结果。 相似文献
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用热氧化的方法在Si片上制备了不同厚度的SiO2薄膜,把能量100keV和180keV的75As离子分别注入上述衬底,用2.1MeV的4He离子对注入后的样品作了背散射分析,测出了75As在样品中的射程分布.将实验测出的射程参数与TRIM90程序预言的结果作了比较,结果表明,实验测量的Rexpp与TRIM90程序计算的Rcalp值符合得很好,而ΔRp的值符合较差,ΔRexpp普遍大于ΔRcalp.上述现象产生的原因可能是在注入过程中As原子发生了辐射增强扩散 相似文献
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