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采用分子束外延技术(MBE)在Ga As衬底上外延生长高In组分(40%)In Ga NAs/Ga As量子阱材料,工作波长覆盖1.3~1.55μm光纤通信波段。利用室温光致发光(PL)光谱研究了N原子并入的生长机制和In Ga NAs/Ga As量子阱的生长特性。结果表明:N组分增加会引入大量非辐射复合中心;随着生长温度从480℃升高到580℃,N摩尔分数从2%迅速下降到0.2%;N并入组分几乎不受In组分和As压的影响,黏附系数接近1;生长温度在410℃、Ⅴ/Ⅲ束流比在25左右时,In_(0.4)Ga_(0.6)N_(0.01)As_(0.99)/Ga As量子阱PL发光强度最大,缺陷和位错最少;高生长速率可以获得较短的表面迁移长度和较好的晶体质量。 相似文献
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采用有限元-边界积分方程方法(FE-BI)分析了不同结构参量对介质体上的圆锥对数螺旋天线性能的影响。首先对比了同样结构和工作频率下介质圆锥对数螺旋天线与普通圆锥螺旋天线方向图的差异, 然后分析了圆锥参量和螺旋参量对介质圆锥天线的影响, 最后在给定的介质参量下, 仿真得出辐射特性较好的螺旋天线结构参量。 相似文献
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