显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E_0 Δ_0光学性质

通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E0 Δ0能级的非平衡荧光发射.同时,通过研究E0 Δ0能级的偏振、激发光强度依赖关系,以及温度依赖关系说明E0 Δ0能级与带边E0共享了共同的导带位置Γ6,同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时,通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较,半绝缘GaAs晶体的E0 Δ0能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E0 Δ0的能量位置和物理性质.研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具.     

分数阶系统有限时间稳定性理论及分数阶超混沌Lorenz系统有限时间同步

研究了分数阶系统有限时间稳定性理论及分数阶混沌系统的同步问题.根据分数阶微分性质及分数阶系统稳定性理论,建立了分数阶系统有限时间稳定性理论并进行了证明.根据该理论设计控制器实现了分数阶超混沌Lorenz系统有限时间同步并运用数值仿真进行了验证. 关键词： 分数阶 超混沌Lorenz系统 稳定 有限时间同步     

新型螺旋形缺陷地结构在低通滤波器中的应用

为使缺陷地结构(DGS)实现结构紧凑、阻带可控,提出了一种新型紧凑型螺旋形DGS。研究了该螺旋型DGS模式下的缝隙影响,对其参数进行了分析与优化。在不改变DGS总体尺寸的情况下,可以通过缝隙位置改变阻带频率。在该螺旋形DGS中的多个位置引入缝隙以实现多频点抑制来增加滤波器的阻带宽度,将两个带有多缝隙的螺旋型DGS单元级联并将其应用于低通滤波器设计。该滤波器的仿真分析及测量结果一致,在0~1.8 GHz通带内插入损耗小于1 dB且在2.0~3.8 GHz阻带内抑制超过20 dB。     

3.75GHz 0.35μm CMOS1∶4静态分频器集成电路设计

给出了一个利用 0 35 μmCMOS工艺实现的 1∶4静态分频器设计方法。该分频器采用源极耦合场效应管逻辑电路 ,基本结构与T触发器相同。测试结果表明 ,当电源电压为 3 3V、输入信号峰峰值为 0 5V时 ,芯片可以工作在 3 75GHz,功耗为 78mW。     

数字通信四次群分接器的研制

文章介绍了符合ITU－TG.755建议的四次群分接器设计方案及其工程实现。分接器采用并行处理方式，高速ECL器件与EPLD器件结合，将四次群信号（139.264Mb/s)分路成三路三次群信号（44.734Mb/s)。实际使用表明，该分接器工作可靠，经济成本低。     

数字通信四次群分接器的研制

文章介绍了符合ITU-TG.755建议的四次群分接器设计方案及其工程实现。分接器采用并行处理方式 ,高速ECL器件与EPLD器件结合 ,将四次群信号(139.264Mb/s)分路成三路三次群信号(44.734Mb/s)。实际使用表明 ,该分接器工作可靠 ,经济成本低。     

(2+1)维耗散长水波方程的一般多线性分离变量解

将基于Backlund变换的多线性分离变量法推广到(2+1)维耗散长水波方程,获得含有任意函数的一般多线性分离变量解,并获得该方程的一些特解.     

在探究式教学中培养学生辐合思维

随着课程改革的深入,探究式教学在我国教育界成为最大的热门话题,可谓涉及教改必谈探究.进入新世纪以来我国更明确提出要建设创新型国家,对教育界的要求是培养更多的创新型人材.如何更多更好地培养创新型人才是我国整个教育界要回答的世纪课题.什么样的人才算是创新型人才?笔者作为一名有多年教龄的教师的体会是:具有相同教育背景的人群中所谓的创新型人才是具有不同的思维方式,即创新思维的那些人.什么是创新思维?能否及如何在探究式教学中有意识地培养学生的创新思维?下面笔者结合自身教学的二三事例对此进行探讨.     

基于ARM嵌入式系统的C程序优化设计方法

文章讨论了在基于ARM嵌入式系统中编写高效C程序的几种设计方法,这些设计方法使程序充分利用软硬件资源,根据实际需求,优化其速度性能和代码长度性能,并使得这两个性能达到最佳.