管式炉中半导体激光器巴条Au80Sn20焊料封装研究

为了提高半导体激光器的封装质量和效率,引入管式炉利用夹具进行批量封装。由于封装质量的好坏直接影响半导体激光器的输出特性和使用寿命,利用MOCVD生长808 nm芯片,重点分析了管式炉温度和封装时间对半导体激光器巴条双面金锡封装质量的影响。利用X射线检测、结电压、光电特性参数和smile效应测试手段,确定了管式炉封装半导体激光器巴条的最优封装条件,为以后的产业化提供了指导意义。     

浅谈思想政治理论课教学案例的选择和运用

案例教学在思想政治理论课教学中的作用越来越突出,如何更好地发挥教学案例在实践教学中的作用,在案例的选择和运用上需要注意一些问题.所选择的案例要具有真实性、典型性、趣味性、原则性、启发性,在案例的运用中要处理好与理论讲授的关系,要注意引导学生思考,要善于总结.     

浅谈思想政治理论课教学案例的选择和运用

案例教学在思想政治理论课教学中的作用越来越突出，如何更好地发挥教学案例在实践教学中的作用，在案例的选择和运用上需要注意一些问题。所选择的案例要具有真实性、典型性、趣味性、原则性、启发性，在案例的运用中要处理好与理论讲授的关系，要注意引导学生思考，要善于总结。     

Policy Optimization Study Based on Evolutionary Learning

In order to achieve an intelligent and automated self-management network,dynamic policy configuration and selection are needed.A certain policy only suits to a certain network environment.If the network environment changes,the certain policy does not suit any more.Thereby,the policy-based management should also have similar natural selection process.Useful policy will be retained,and policies which have lost their effectiveness are eliminated.A policy optimization method based on evolutionary learning was p...     

利用802.1x技术加强校园网安全管理

随着网络的快速发展,校园网中存在的很多安全问题也日渐突出,主要表现在IP和MAC地址冒用和网络病毒的快速传播.利用802.1x技术不仅做到入网即认证,弥补以太网安全接入的不足,还可以有效地解决校园网中存在的一些安全问题,从而加强校园网的安全管理.     

电动汽车驱动系统用永磁同步电动机起动过程的模糊控制与仿真

在Matlab/Sinulink下,针对电动汽车驱动用永磁同步电动机PMSM的驱动系统起动过程,建立了模糊控制仿真结构模型,并进行了仿真.     

带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管

为了解决限制近红外单发射区InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光二极管失效阈值功率提升的腔面光学灾变损伤问题,研制了一种带有Si杂质诱导量子阱混杂非吸收窗口的新型激光二极管,并对其性能进行了测试分析.首先,对于带有非吸收窗口的二极管,在其谐振腔上方前后腔面附近的窗口区域覆盖50 nm Si/100 nm SiO2组...     

大功率半导体激光器可靠性研究和失效分析

对自主研发的975 nm波长的COS封装的大功率半导体单管激光器进行了10,12,14 A的电流步进加速应力试验,应用逆幂律模型和指数分布的理论对试验结果进行了分析,计算出在8 A的电流下,器件的平均寿命为28 999 h。研究了器件的失效形式和老化前后的温升、偏振度的变化,结果表明:失效形式主要有体内退化、腔面退化、与焊接有关的退化;老化后的器件的结温上升增多,偏振度下降10%左右。     

对915 nm InGaAsP/GaAsP初次外延片量子阱混杂的研究

高输出功率和长期可靠性是高功率半导体激光器得以广泛应用的前提,但高功率密度下腔面退化导致的光学灾变损伤(COD)制约了激光器的最大输出功率和可靠性。为了提高915 nm InGaAsP/GaAsP半导体激光器的COD阈值,利用金属有机物化学气相沉积设备来外延生长初次样片。探讨了量子阱混杂对初次外延片发光的影响。此外,使用光致发光谱测量了波峰蓝移量和发光强度。实验结果表明,在退火温度为890℃、退火时间为10 min条件下,波峰蓝移量达到了62.5 nm。对初次外延片进行量子阱混杂可得到较大的波峰蓝移量,且在退火温度为800～890℃、退火时间为10 min的条件下峰值强度均保持在原样片峰值强度的75%以上。     

温度对ⅠD畴壁内VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ⅠD)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ⅠD畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(1)ip(T),H(2)ip(T)],当Hip＜H(1)ip(T)时,ID畴壁中VBL数目不变;当H(1)ip(T)＜Hip＜H(2)ip(T)时,ID畴壁中VBL逐渐丢失,且随面内场Hip的增大,VBL丢失得越来越多;当Hip＞H(2)ip(T)时,VBL完全丢失.面内场范围[H(1)ip(T),H(2)ip(T)]随温度的升高而减小,其中H(1)ip(T),H(2)ip(T)也分别随温度的升高而变小,并分别在T(1)0和T0处减小为0.