满江红鱼腥藻glnA基因上游调控区的克隆及其序列分析

以满江红鱼腥藻（Ａａｃ）提取总ＤＮＡ为模板,通过ＰＣＲ技术,扩增得到其谷氨酰胺合成酶基因（ｇｌｎＡ）上游区．经酶切得到４０９ｂｐ的片段,并将其连接到ｐＢｌｕｅｓｃｒｉｐｔⅡｋｓ＋上测序．将测序结果与Ａｎａｂａｅｎａ７１２０调控序列比较,有９８２％的同源性．在上游调控中也具有ｎｉｆｌｉｋｅ和Ｅ．ｃｏｌｉｌｉｋｅ启动子,值得注意的是,调节蛋白ＶＦ１的结合位点正好位于ｎｉｆｌｉｋｅ启动子上．所克隆的片段不但对蓝藻固氮、泌氨的基因调控研究具有意义,也对表达载体的构建具有实用价值．     

仙鹤藓RNA提取不同方法比较

用从雾灵山寒冷干燥生境中采集到的仙鹤藓，建立可控制的“干燥-复水”工作体系，用于寻找与耐旱相关的差异表达基因，为进行植物抗旱基因工程提供可以利用的目的基因．总RNA的分离是进行分子操作的关键和基础．然而，仙鹤藓材料以其组分的特殊性造成了提取组织总RNA的困难．同时干燥和复水处理过的材料，由于次生代谢物增多，严重的影响到总RNA的提取和质量．本文通过探索行之有效的材料处理方法，比较不同提取藓类植物总RNA方法的优劣，提供可供参考的总RNA提取方法．     

冬季盆栽草莓的栽培基质及营养液配方的筛选

以田园土，蛭石加草炭，纯蛭石，水培四种不同栽培基质和四种营养液对冬季盆栽草莓进行三年的实验，通过对其叶面积和叶柄长度的测量，对开花和果实成熟期的观察，以及对灰分，总酸，可溶性糖等品质分析，证明了冬季无土盆栽草莓的适宜基质和适宜营养液配方。     

InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究

降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法，本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上，经过钝化和低温两个特殊工艺条件，在高温CaN表面生长了一层低温岛状GaN．形成表面形貌的起伏，进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其徽观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明：InGaN量子点为平均直径约30nm、高度约25nm、分布较均匀的圆锥，其密度约10^11cm^-2。室温下，InGaN量子点材料的PL谱强度大大超出相同条件生长的InGaN薄膜材料。这些现象表明，用InGaN量子点代替普通InGaN薄膜．有望获得发光效率更高的GaN基发光器件。     

InP的MOVPE生长

我们利用自制的常压MOVPE设备和国产的三甲基钢以及进口的磷烷生长了InP外延材料,其77K迂移率为65300cm²/V·s,据我们所知这是国内迄今为止用各种方法获得的InP薄膜的最大低温迁移率值。     

A Simple Route of Morphology Control and Structural and Optical Properties of ZnO Grown by Metal-Organic Chemical Vapour Deposition

Employing the metal-organic chemical vapour deposition （MOCVD） technique, we prepare ZnO samples with different morphologies from the film to nanorods through conveniently changing the bubbled diethylzinc flux （BDF） and the carrier gas flux of oxygen （OCGF）. The scanning electron microscope images indicate that small BDF and OCGF induce two-dimensional growth while the large ones avail quasi-one-dimensional growth. X-ray diffraction （XRD） and Raman scattering analyses show that all of the morphology-dependent ZnO samples are of high crystal quality with a c-axis orientation. From the precise shifts of the 20 locations of ZnQ （002） face in the XRD patterns and the E2 （high） locations in the Raman spectra, we deduce that the compressive stress forms in the ZnO samples and is strengthened with the increasing BDF and OCGF. Photoluminescence spectroscopy results show all the samples have a sharp ultraviolet luminescent band without any defects-related emission. Upon the experiments a possible growth mechanism is proposed.     

叶绿体CrFtsZ2蛋白对E.coli形态的影响

FtsZ蛋白在细菌的分裂中担任着重要作用,能够在分裂位点形成一个环状结构而控制细菌的分裂过程。胞内FtsZ蛋白浓度的异常升高或降低均可阻断正常的细胞分裂过程进而形成分裂异常的丝状菌体。我们为了进一步研究衣藻FtsZ蛋白的生物学活性,建立了CrFtsZ2-EGFP融合蛋白原核表达的对照体系。结果表明：低浓度IPTG促进转化有表达质粒pLGZ2的大肠杆菌JM109伸长,高浓度IPTG则抑制其伸长;融合表达质粒的过量表达导致宿主菌形成了丝状菌体,不但菌体长度随浓度梯度而有规律性的变化,而且CrFtsZ2-EGFP融合蛋白沿着宿主菌体的纵轴方向有规律地聚集成荧光点或荧光带。更进一步验证了衣藻CrFtsZ2蛋白的功能。     

金属有机物气相外延生长InAlGaN薄膜及其性能表征

在不同的生长温度和载气的条件下,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜,通过能量色散谱(EDS),高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)对样品进行表征与分析,研究了生长工艺对InAlGaN外延层结构和光学性能的影响.发现当以氮气做载气时,样品的发光很弱并且在550nm附近存在一个很宽的深能级发光峰;当采用氮气和氢气的混合气做载气时,样品中的深能级发光峰消失且发光强度明显提高.以混合气做载气,InAlGaN薄膜中铟的组分随生长温度的升高而降低,而薄膜的结构和光学性能却提高.结合PL和HRXRD的测试结果得到了较佳的生长参数:即载气为氢气和氮气的混合气以及生长温度在850℃到870℃.     

植物中的DREB类转录因子

DREB转录因子属于AP2/EREBP转录因子家族.AP2/EREBP转录因子是特异存在于植物中,与植物发育密切相关的一类转录因子的总称.该家族有五个亚家族,其家族成员的蛋白质序列均含有保守的AP2 domain.其中,DREB转录因子特异地与DRE顺式作用元件相结合,在调节低温,干旱和高盐等胁迫反应时具有重要作用.一个DREB转录因子可以调控下游的多个抗逆基因,从而使植物产生抗逆性.植物抗逆反应是一个非常复杂的过程,目前人们对其信号转导正在进行进一步的探究.