Winograd矩阵乘法算法用于任意阶矩阵时的一种新处理方法

摘要t矩阵乘法StraSsen算法及其变形winograd算法用分而治之的方法把矩阵乘法时间复杂性由传统的D(n。)改进到0(佗kg。n.但是对于奇数阶矩阵,在划分子矩阵时,要作特殊处理才能继续使用此算法.本文提出了一种非等阶“十”字架划分方法,可以最少化填零,最大化性能,使得奇数阶矩阵乘法的时间复杂性更加接近偶数阶矩阵乘法的效果.计算实例显示该方法是有效的.     

复杂系统基于混合知识模型的智能故障诊断技术

系统阐述了复杂系统故障诊断知识的概念、类别和相互关系,研究发展了定性和定量、浅层和深层、模糊和动态等多种诊断知识的获取方式和集成组织模型,建立了因果、结构和模型等不同层次和类别诊断知识的面向对象表示方法,提出了综合多层次和多类别诊断知识的智能故障诊断理论和策略.该策略能有效提高故障诊断的准确性以及诊断推理的效率.     

High-mobility germanium p-MOSFETs by using HCl and(NH_4)_2S surface passivation

To achieve a high-quality high-κ/Ge interfaces for high hole mobility Ge p-MOSFET applications,a simple chemical cleaning and surface passivation scheme is introduced,and Ge p-MOSFETs with effective channel hole mobility up to665 cm2/V·s are demonstrated on a Ge(111) substrate.Moreover,a physical model is proposed to explain the dipole layer formation at the metal–oxide–semiconductor(MOS) interface by analyzing the electrical characteristics of HCl- and(NH4)2S-passivated samples.     

浅析矿井通风系统经济运行的影响因素与对策

通过对部分年生产能力30万吨矿井通风系统设备电耗情况的调查,从理论上对影响通风经济效益的主要因素进行了分析,并提出了在实际生产当中实现通风系统经济运行的对策,从而降低主要通风机的能耗,为煤矿通风系统的节能运行提供借鉴.     

从近卫三次声明看抗战初期日本侵华策略的变化和破产

本文以日本首相近卫三次对华声明为脉络,论述了抗战初期日本侵华策略的变化及其破产,对破产的原因也作了分析探讨。     

Blended Learning理念下大学英语教学模式的构建设想

Blended Learning是为了最大化的实现学习目标,采取适合于特定的学习者的教学手段在恰当的时间和地点将一定的知识传输给学习者。《大学英语课程教学要求(试行)》(以下简称《要求》)对大学英语教学模式作了规定:各高等学校应充分利用多媒体和网络技术,采用新的教学模式改进原来的以教师讲授为主的单一课堂教学模式。《要求》中的模式也体现了blended思想。因此笔者拟采用Blended Learning的理念构建一种三维的大学英语教学模式即面对面的各种课堂活动的混合,网上或课外活动的混合,面对面的活动和网上或课外活动的混合。     

关于赋范空间上连续自映射的回归点

在赋范空间中讨论回归点的性质,主要得到了结果：（1）如果,是序列紧赋范空间X上的连续双射,x是f的任一回归点,则对于任意整数N〉0都存在f的回归点x0∈X使得f^n（x0）=x;（2）序列紧赋范空间上连续自映射的回归点集是f的强不变子集;（3）如果f是局部连通赋范空间X上的连续自映射,则f的每一个回归点或是类周期点或是类周期点的聚点．作为推论,在实直线段上得到了类似的结论．     

高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究

从模拟和实验两个方面对高迁移率In_0.6Ga_0.4As沟道金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOSHEMT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件开展研究工作.研宄发现InAlAs势垒层对Ino_0.6Ga_0.4AsMOSHEMT的特性具有重要影响.与Ino_0.6Ga_0.4As MOSFET相比,Ino_0.6Ga_0.4As MOSHEMT表现出优异的电学特性.实验结果表明,In_0.6Ga_0.4As MOSHEMT的有效沟道迁移率达到2812 cm²/V.s^-1,是In_0.6Ga_0.4As MOSFET的3.2倍.0.02 mm栅长的MOSHEMT器件较相同栅长的MOSFET器件具有更高的驱动电流、更大的跨导峰值、更大的开关比、更高的击穿电压和更小的亚阈值摆幅.     

Physical modeling based on hydrodynamic simulation for the design of InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors

A physical model for scaling and optimizing InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors(DHBTs) based on hydrodynamic simulation is developed.The model is based on the hydrodynamic equation,which can accurately describe non-equilibrium conditions such as quasi-ballistic transport in the thin base and the velocity overshoot effect in the depleted collector.In addition,the model accounts for several physical effects such as bandgap narrowing,variable effective mass,and doping-dependent mobility at high fields.Good agreement between the measured and simulated values of cutoff frequency,f t,and maximum oscillation frequency,f max,are achieved for lateral and vertical device scalings.It is shown that the model in this paper is appropriate for downscaling and designing InGaAs/InP DHBTs.     

刍议路桥过渡段路基路面施工技术

高速公路和城市快速路的迅猛发展，公路桥梁和城市立交桥大量兴建，由于我国各相关行业对桥梁结构的设计比较重视，技术已相当成熟。相对而言，路桥过渡段上的路基路面研究显得十分薄弱，被列为公路工程质量通病。桥面平整度差、早期损坏较普遍和桥台路基沉陷问题长期以来一直未得到根本的解决。因此，在分析路桥过渡段路基路面常见病害产生原因的基础上，提出了施工质量控制措施。