第39届世界体操锦标赛男子自由体操成套动作编排特征与趋势研究

通过对39届世界体操锦标赛男子自由体操决赛8位选手完成的成套动作难度、编排及连接方式进行统计分析,结果表明:成套动作的编排呈现出多样性的发展,动作数量超过了规则规定的10个难度动作,并呈继续增加的趋势,单空翻动作的使用主要集中于D组和E组难度动作,提高难度分的关键在于空翻串的难度价值,动作连接价值是提高A分的重点,成套动作的难度与质量需要提高。     

关于RHEED振荡技术优化GaAs(110)量子阱生长的研究

在GaAs(110)衬底上生长的半导体材料有诸多优良性能，使得在非极性GaAs(110)衬底上获得高质量各类异质结材料，成为近年来分子束外延生长关注的课题.考虑GaAs(110)表面是Ga和As共面，最佳生长温度窗口很小；反射式高能电子衍射的(1×1)再构图案对生长温度和V/Ⅲ束流比不敏感，难于通过观察再构图案的变化，准确地找到最佳生长条件.作者在制备GaAs(110)量子阱过程中，观察到反射式高能电子衍射强度振荡呈现出的单双周期变化.这意味着不同工艺条件下，在 GaAs(110)衬底上量子阱有单层和双层两种生长模式.透射电子显微镜和室温光致荧光光谱测量结果表明：在双层生长模式下量子阱样品光学性能较差，而在单层生长模式下量子阱光学性能较好，但是界面会变粗糙.利用这一特点，我们采用反射式高能电子衍射强度振荡技术，找到了一种在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱的可行方法. 关键词： 反射高能电子衍射 量子阱 分子束外延     

As保护下的生长中断时间对AlSb/InAs超晶格界面粗糙度的影响

用分子束外延设备(MBE)在GaAs(100)衬底上生长了InSb型界面的AlSb/InAs超晶格，界面生长过程中采用了As保护下不同的中断时间.运用掠入射X射线反射技术(GIXRR)对样品进行了测量，并对测量结果进行了模拟和分析，发现As保护下生长中断20 s能获得最平整的AlSb/InAs界面.结合分析显微镜下观察到的样品形貌，过短的界面中断时间会导致界面富In并形成In点，而过长的中断时间会导致AlAs型界面的形成，两者都使界面变得粗糙.另外，还讨论了生长中断在分子束外延生长中的应用. 关键词： 分子束外延 生长中断 超晶格 掠入射X射线反射     

高校教师健身现状调查及对策研究

以德州学院教师为调查对象，采用问卷调查和数理统计法对高校教师健身现状进行调查，结果表明：目前高校教师参与健身运动的现状不尽如人意，教师群体普遍存在教学工作忙、科研任务重、闲暇时间少、身心负担较重、健康状态较差的状况等。被调查教师中达到体育人口标准的人数为20．56％，针对现状提出改善高校教师健身状况的建议和对策，为更好地开展高校教职工健身活动提供参考。     

炼油装置管道设计与施工

本文主要介绍了管道设计在炼油装置中的作用，介绍管道设计在施工过程中的问题。详细分析了炼油装置的边界问题与装置内问题。     

浅谈催化裂化装置烟机入口管道设计与施工

本文介绍烟气轮机进口管道设计要点,烟气轮机在催化裂化装置中的作用,波形膨胀节的应用,管道支吊架的设置,管道冷紧,施工顺序。