氮化镓单晶生长研究进展

氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料.受制于氮化镓单晶衬底的尺寸、产能及成本的影响,当前的GaN基器件主要基于异质衬底(硅、碳化硅、蓝宝石等)制作而成,GaN单晶衬底的缺乏已成为制约GaN器件发展的瓶颈.近年来,国内外在GaN单晶衬底制备方面取得了较大的进展.本文综述了氮化镓单晶生长的最新进展,包括氢化物气相外延法、氨热法和钠助熔剂法的研究进展,分析了各生长方法面临的挑战与机遇,并对氮化镓单晶材料的发展趋势讲行了展望.     

新型喜树碱衍生物PCC0208021的合成及其体外抗人结直肠癌细胞增殖作用

通过成酯反应合成了一种新型喜树碱类衍生物,并将其命名为PCC0208021.PCC0208021对4种结直肠癌细胞株(LS180、HCT116、HT-29和CT-26)显示出良好的体外生长抑制活性,并能有效抑制2种结直肠癌细胞株(LS180和HCT116)的集落形成;它在体外酶学水平可抑制拓扑异构酶Ⅰ(Topo Ⅰ)的...     

氮化镓单晶的液相生长

氮化镓(GaN)具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想衬底材料。除气相法(包括HVPE(氢化物气相外延)、MOCVD(金属有机化合物化学气相沉淀)、MBE(分子束外延))生长GaN单晶外,液相法(包括氨热法和助熔剂法)近几年在制备GaN单晶方面取得了较大的进展。本文介绍了氨热法和助熔剂法的生长原理、装备特点及生长习性;综述了两种液相生长方法的研究历程及研究进展,并对液相法生长GaN单晶的发展趋势及主要挑战进行了展望。     

运用解剖学知识预防腰腿痛

随着科学的发展，社会的进步，人类生活节奏的加快，社会竞争的激烈，人们伏案和低头工作时间的延长，腰腿痛的发病率越来越高。而且越来越趋向年轻化，这些疾病已经开始严重影响人们的工作和生活。     

基于冷冻切片的下颈椎C4～C7段有限元建模及验证

为了进行颈椎生物力学深层研究,提出了基于冷冻切片图像建立人体下颈椎三维有限元模型的方法.采用逆向工程手段,构建了具有皮质骨、松质骨、椎间盘、小关节面等复杂结构的颈椎多节段模型.通过施加生理载荷,模拟颈椎前屈-后伸、侧弯、扭转以及轴向压缩等受力状态.结果表明,模型具备了较高精度的解剖学结构和形态学结构,其有效性也得到了验证,能够用于更为复杂的颈椎生物力学研究.     

LPE生长GaN的不同极性面的光学性质

极化效应会导致GaN基发光器件的效率降低,因此关于非极性和半极性GaN单晶的研究受到了广泛关注.为了进一步探究不同极性GaN的发光特性和杂质掺入的内在机理,本文利用钠助熔剂法侧向生长出的不同极性面的GaN单晶作为研究对象,对比了不同极性面的光学性质及杂质掺入特点,讨论了黄光带(YL)峰的起源及其影响因素.首先利用阴极荧...