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本文报导把 He~ 注入玻璃表面增强了玻璃在真空中的面闪络电压,当注入剂量是4×10~(17)离子/厘米~2时,面闪络电压提高了68%.在讨论中分析了改进面闪络的原因。 相似文献
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测量了500 ke V—1 Me V 的 He + 离子穿过50 —90 μm 厚度的玉米种皮、葡萄果皮和西红柿果皮的透射能谱.结果表明这些生物厚靶是不均匀的,存在着类似于“沟道”的开放通道,沿着这些通道入射离子可以容易地透过靶材料.虽然大多数离子停留在靶中,但一部分透射离子只损失很少的能量.透射能谱显示出一种纯粹的电子阻止特征.30 μm 厚度样品的透射电子显微镜图谱( T E M) 显示150 ke V 的电子可以穿过这些样品得到很清晰的图象.β1 ,4 葡聚糖是生物种皮或果皮细胞壁的重要的组成部分,计算了该分子链的电子结构,指出了生物样品中可能存在的通道方向. 相似文献
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测量了500keV—1MeV的He+离子穿过50—90μm厚度的玉米种皮、葡萄果皮和西红柿果皮的透射能谱.结果表明这些生物厚靶是不均匀的,存在着类似于“沟道”的开放通道,沿着这些通道入射离子可以容易地透过靶材料.虽然大多数离子停留在靶中,但一部分透射离子只损失很少的能量.透射能谱显示出一种纯粹的电子阻止特征.30μm厚度样品的透射电子显微镜图谱(TEM)显示150keV的电子可以穿过这些样品得到很清晰的图象.β-1,4葡聚糖是生物种皮或果皮细胞壁的重要的组成部分,计算了该分子链的电子 相似文献
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用热氧化的方法在Si片上制备了不同厚度的SiO2薄膜,把能量100keV和180keV的75As离子分别注入上述衬底,用2.1MeV的4He离子对注入后的样品作了背散射分析,测出了75As在样品中的射程分布.将实验测出的射程参数与TRIM90程序预言的结果作了比较,结果表明,实验测量的Rexpp与TRIM90程序计算的Rcalp值符合得很好,而ΔRp的值符合较差,ΔRexpp普遍大于ΔRcalp.上述现象产生的原因可能是在注入过程中As原子发生了辐射增强扩散 相似文献
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本文描述了用MeV 4He+ Rutherford背散射的方法来研究50—400keV Br+在非晶硅和石英中的射程分布.Br+的射程分布是通过离子注入法得到的.并将测得的实验值与Biersack理论进行比较,结果表明,对于平均投影射程,实验值与理论值之间的符合是令人满意的,对于射程离散,在一级近似中,理论值系统地低于实验值,考虑二级能量损失修正后,理论值与实验值是基本一致的.这表明Biersack理论在预言Br+在硅和石英固体靶中的射程分布是相当成功的. 相似文献
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本文主要介绍一台高磁感应强度的磁分析器的加工工艺。由于在选材、锻压、退火及加工过程中进行了严格的控制,取得了良好的效果,使磁极间的磁感应强度达到13.5仟高斯以上,I——B关系曲线中直线部分的磁感应强度最高达到了11仟高斯。 相似文献
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