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高通量材料合成方法和高通量材料表征手段区别于传统低效率的 "试错法"材料发展方法, 极大地加速了材料科学的变革和发展. 通过设计程序进行了高通量 X 射线衍射实验, 在保证数据分辨率条件下, 高效地表征了 La$_{1-x}$Sr$_{x}$TiO$_{3}$ 薄膜上多个数据位点的晶体结构, 验证了其成分的连续变化性质, 为后续开展更多类型的高通量 X 射线衍射实验提供了指导. 相似文献
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通过分析数学教师在数学课程改革中各阶段的角色 ,打破了那种认为“数学教师仅仅是数学课程改革中的实践者”的传统观念 ,并得出了这样一个结论 :在一次数学课程改革中 ,任何一个教师都有可能以动力或阻力的形式出现 .从而使人们重新估价数学教师在一次数学课程改革中所具有的关键性作用 . 相似文献
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针对空时分组码子空间盲解码算法在空间相关信道下性能下降的问题,提出了一种修正解码算法.在分析空间相关性破坏信号子空间和统计噪声子空间正交性的基础上,利用接收端已知的信道相关矩阵,修正接收端用于搜索的码字矩阵集合,使相关信道下分解得到的统计噪声子空间正交于修正的发送信号子空间,提高了解码性能.与传统解码的算法不同,该算法无需在发送端进行信道相关矩阵的估计和预编码,降低了发送端的编码复杂度.Monte-Carlo仿真实验表明,空间强相关信道下空时分组码子空间盲解码性能下降比较剧烈,采用新算法修正后的解码性能明显改善,在误比特率为10^-2、相关系数为0.8时,修正性能提高约2dB. 相似文献
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本文采用第一性原理计算软件包VASP,系统地研究了不同F掺杂比例的新型层状超导体NdFxO1-xBiS2(x=0,0.125,0.25,0.375,0.5)体系的晶格特性和电子结构,并着重研究了将Nd4f电子作为价电子引入对NdF0.5O0.5BiS2电子结构的影响和NdF0.5O0.5BiS2的磁有序结构.结果表明:引入F掺杂会减小晶格参数a的值,但随着掺杂比例的增加,a值又会逐渐增加,晶格参数c的值则保持递减的趋势;F掺杂比例为0.375时,费米能级处出现态密度峰值,意味着最佳掺杂;Nd4f电子作为价电子时会与Nd5d电子一起成为NdO(F)耗尽层中的载流子供体,不会改变BiS2超导层的电子结构;Nd子晶格局域磁矩的C-AFM型磁有序排列会大大增加体系的稳定性,成为最可能的磁性基态. 相似文献
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随着科研人员对材料科学研发的不断投入,高通量X射线表征技术的广泛应用极大提高了新材料的研发效率.高通量X射线表征技术是材料基因组工程研究的重要工具.设计了高通量X射线表征系统,研究了不同含量稀土元素掺杂热障涂层材料对其结构相稳定性的影响.样品台可进行高精度x-y二维平面平动,在保证数据样品质量的情况下,仅用极短时间就能测试多个分立样品. 相似文献
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本文利用脉冲激光沉积法在(LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7(LSAT)的(001)面上外延生长了系列Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ(0.05≤x≤0.20)超导薄膜.充分退火后的样品均为富氧材料,其X射线衍射(XRD)数据显示样品具有良好(001)取向,随着掺杂量x的增大,样品有由正交相变为四方相的趋势.低场下M~T测量数据显示超导态时样品具有抗磁性,随着Ca含量的增加超导转变温度(Tc)降低,当x=0.2时,仅有46K.当外加磁场达到10kOe时,磁化发生反转出现正值,表现为顺磁迈斯纳效应. 相似文献
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印度的时轮历自十一世纪传入中国西藏地区之后,经过长期的融和,改造与发展,形成了独具特色的藏族历法,藏族历算的主要传承机构是藏传佛教寺院中的“丁科扎仓”(历算学院),甘肃夏河县的拉卜楞寺中的丁科扎仓,是其中历史比较悠久,保存比较完整的一所,本文论述了藏族历算的历史概况和现状,丁科扎仓中的历算研究和历算教学的内容和方式,并分析了其特点和局限性。 相似文献
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随着科研人员对材料科学研发的不断投入, 高通量 X 射线表征技术的广泛应用极大提高了新材料的研发效率. 高通量 X 射线表征技术是材料基因组工程研究的重要工具. 设计了高通量 X 射线表征系统, 研究了不同含量稀土元素掺杂热障涂层材料对其结构相稳定性的影响. 样品台可进行高精度 $x$-$y$ 二维平面平动, 在保证数据样品质量的情况下,仅用极短时间就能测试多个分立样品. 相似文献
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为了澄清结构无序对电输运特性,特别是低温下电阻极小的影响,采用脉冲激光沉积方法在LaAlO3(100)基片上制备了两类La2/3Sr1/3MnO3薄膜.一块是在通40Pa氧气的气氛下沉积,沉积后不再进行通氧气的原位退火.另一块在同样通40Pa氧气的气氛下沉积,但沉积后再在6×104Pa的氧气气氛下进行原位退火.对两种薄膜的结构,磁特性和电输运特性进行了对比研究.结果表明:氧缺陷导致了薄膜结构的无序,更导致了类似自旋玻璃行为的磁无序.电输运特性结果表明原位退火使得薄膜的金属-绝缘体转变温度Tc从约195K提高到335K.对由于结构无序的存在对低温电阻较小行为的影响作了系统对比研究,曲线拟合的结果表明对于缺氧薄膜和进行了原位退火的薄膜的低温电阻较小行为的主要影响因素分别是类近藤散射作用和电子-电子相互作用,这一结果对于澄清庞磁电阻锰氧化物体系的低温电阻极小现象有一定积极意义. 相似文献