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本文论述了透明的、化学配比的尖晶石(MgAl2O4)单晶的生长。可以用直拉法(切克劳斯基法)在以钨棒作为加热元件的电阻加热炉中生长熔点为2105℃的尖晶石(MgAl2O4)单晶。所生长的晶体直径在20mm以上,重150克,外观整齐,用劳厄法χ射线衍射证实为单晶体。用光学显微镜及扫描电子显微镜检查了缺陷,晶体的位错密度约为10~10/cm2,可适合于硅的外延生长。 相似文献
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镁铝尖晶石单晶(MgAl_2O_4)是七十年代开始试用于超高速大规模集成电路的优质绝缘衬底材料。和目前广泛应用的蓝宝石衬底材料相比,它具有一些突出的优点。如与外延硅薄层晶格匹配良好,衬底中铝原子向外延硅薄层内的自掺杂小,热稳定性好,与硅的膨胀系数较为接近,硬度较小,加工性能较好等。因此,它是目前最有希望的超高速大规模集成电路的优质绝缘衬底材料之一。由于镁铝尖晶石的熔点很高(2105℃),这样就给热设备系统,生长工艺等方面带来一系列新的问题。毛主席教导我们:“中国人民有志气,有能力,一定要在不远的将来,赶上和超过世界先进水平。”在毛主席的无产阶级教育路线指引下,遵循科学研究为无产阶级政治服务,为工农兵服务,与生产劳动相结合的方向,我们化工系非金属材料专业工农兵学员在毕业实践中和教工一起,一方面走出学校虚心向有实践经验的工人师傅,革命技术人员学习,一方面分析了所研制的镁 相似文献
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