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1.
5μm封闭硅栅高速CMOS电路
张利春
倪学文
沈悌明
阎桂珍
张录
吉力久
冯初光
张蔷
《北京大学学报(自然科学版)》
1985,(5)
本文报导了沟道长度为5μm的高速硅栅CMOS电路,门电路平均延迟时间为10nS,触发器最高工作频率为30—40MHz。文中给出了CAD模拟计算结果和工艺措施,对高速CMOS电路作了初步研究。
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