不用防震台拍摄全息图

目前,用 He—Ne 激先器摄制全息图都是在防震台上进行,并用磁性座将光学元件吸在防震台上.因防震台与磁性座造价较高,且台子又过于沉重,所以给全息摄影带来很大的不便,一些学校因此至今不能开设此实验,甚至给全息摄影带来了神秘感.我们研究了震动对记录全息图的影响,得出了简化实验设备的一种方法,可以在一般的木质实验桌上摄制出较清晰的全息图.     

基于VRML的异地并行设计技术

Virtual Reality Modeling Language(VRML)是因特网三维浏览的标准，它也可以作为一种基础手段用于产品设计，同时考虑制造与装配问题。这样，在地理上分散的合作伙伴可以互相共享设计能力，通过因特网和企业网来完成面向制造与装配的产品设计。本文提出了一种基于VRML的并行设计环境，用于支持跨平台的异地三维产品设计。此外，该环境中还集成了工程图纸、仿真动画、视频以及其他多媒体数据，并留有接口支持DFMA专家系统帮助人们决策。     

Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭性能和全息关联存储

在同成分LiNbO3中,掺入ZnO的摩尔分数分别为1%、3%、5%、7%和9%,掺入（质量分数）0.03% MnCO3和0.08%Fe2O3,采用提拉法生长了优质Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体.测试Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-红外吸收光谱,抗光损伤能力和位相共轭性能.Zn离子浓度在7%和9%时,OH-吸收峰移到3 528 cm－1,讨论OH-吸收峰移动机理.随着Zn离子浓度增加,抗光损伤能力增加.Zn离子浓度增加到7%,达到阈值.Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体高二个数量级,研究高掺锌Mn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光损伤增强机理.随着Zn离子浓度增加,Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭反射率降低,位相共轭响应速度增加.Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭镜消除了光波的位相畸变.以Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体作存储介质进行全息关联存储实验.讨论全息关联存储的工作原理.以原图象的25%和50%进行寻址,在输出平面上接收到较完整的存储图象.     

Cu:KNSBN晶体生长及其光折变效应的研究

在KNSBN晶体中掺进CuO,采用硅钼棒作加热体,以Czochralski技术生长Cu:KNSBN晶体.以二波耦合光路,测试晶体的衍射效率和记录时间,计算折射率变化值Δn.Cu:KNSBN晶体的衍射效率,记录速度和折射率变化值皆高于Fe:LiNbO3晶体.尤其记录速度比Fe:LiNbO3晶体高一个数量级以上.测试Cu:KNSBN晶体位相共轭反射率R和自泵浦位相共轭反射率RC.Cu:KNSBN晶体的自泵浦位相共轭反射率RC值达到64;,是纯KNSBN晶体的二倍.以Cu:KNSBN晶体自泵浦位相共轭镜进行消畸变实验.实验结果表明:输出光波确系输入探测光波的位相共轭光波.     

Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭性能和全息关联存储

在同成分LiNbO3中,掺入ZnO的摩尔分数分别为1％、3％、5％、7％和9％,掺入(质量分数)0.03％ MnCO3和0.08％Fe2O3,采用提拉法生长了优质Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体,测试Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体的OH红外吸收光谱,抗光损伤能力和位相共轭性能.Zn离子浓度在7％和9％时,OH吸收...     

Li/Nb比变化对Ce：Fe：LiNbO3晶体的光折变性能的影响

在LiNbO3晶体中掺进0.1wt?O2和0.03wt?2O3以Czochralski技术生长不同Li/Nb比(0.94、1.20、1.40)Ce:Fe:LiNbO3晶体,其中Li/Nb=1.40的Ce:Fe:LiNbO3晶体是化学计量比.测试了不同Li/Nb比Ce:Fe:LiNbO3晶体抗光损伤能力,得到随着Li/Nb比的增加,晶体的抗光损伤能力增加.研究了晶体抗光损伤能力增强的机理.随着Li/Nb比的增加,晶体的响应速度和光折变灵敏度增加.测试不同Li/Nb比Ce:Fe:LiNbO3晶体位相共轭效应,利用产生的位相共轭光波消除图像的位相共轭畸变.利用Li/Nb=1.40的Ce:Fe:LiNbO3晶体做记录介质,Li/Nb=1.20的Ce:Fe:LiNbO3晶体作位相共轭镜进行全息关联存储实验.实验结果表明,存储系统具有实时处理,成像质量好,信噪比高和可反复使用的优点.     

大视角一步彩虹全息

利用一个物镜获得大视角无狭缝一步彩虹全息。在记录时使物体与透镜同时移动,所产生的合成狭缝的位置与成像透镜的焦距无关,因此可尽量采用短焦距的透镜,从而获得较大视角的一步彩虹全息像。     

纳米ZnO薄膜的激子光致发光特性

报道了纳米ZnO薄膜激子光致发光(PL)与温度的关系。首先利用低压金属有机化学气相沉积(LPMOCVD)技术生长ZnS薄膜,然后将ZnS薄膜在氧气中于800℃下热氧化2h获得纳米ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿多晶结构且具有择优(002)取向。室温下观察到一束强的紫外(326eV)光致发光(PL)和很弱的深能级(DL)发射。根据激子峰的半高宽(FWHM)与温度的关系,确定了激子纵向光学声子(LO)的耦合强度(ГLO)。     

无透镜一步彩虹全息

采用合成狭缝的方法，不用透镜成像，直接对三维漫射物体一次拍出彩虹全息图。这个全息图重现像的观察范围很宽，视场不受透镜孔径的限制。对该方法作了理论分析，并给出实验结果。     

大景深无狭缝彩虹全息图

从线全息图出发,讨论了获得大景深无狭缝彩虹全息图的记录和观察条件,并通过实验记录了大景深彩虹全息图。