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报道了针对第三代碲镉汞红外焦平面的应用需求进行的碲镉汞分子束外延研究进展.面向大规模HgCdTe红外焦平面探测器的应用,开展了大面积替代衬底上的分子束外延技术研究,报道了在大面积替代衬底上的碲镉汞分子束外延材料的晶体质量、表面形貌和组份均匀性的改善方法和研究结果.512×512及以上规模的中波、短波碲镉汞面阵器件制备验证表明Si基碲镉汞材料满足应用需求.围绕甚长波红外焦平面探测器及雪崩红外焦平面探测器的研制需要,开展了低缺陷的ZnCdTe基碲镉汞分子束外延研究.外延获得的HgCdTe外延材料均匀性得到明显提高.经过外延条件的优化,厚度为10μm的HgCdTe/ZnCdTe(组分x=0.22)分子束外延材料位错密度最好结果为3×104 cm-2,双晶半峰宽小于25弧秒. 相似文献
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分子束外延P型Hg(1-x)CdxTe少子寿命的研究 总被引：2，自引：0，他引：2
本文利用μ-PCD载流子寿命测量系统,对采用MBE方法生长的Hg空位型中波HgCdTe P型材料和原位As掺杂激活中波P型材料的少子寿命进行了测量,并对材料的少子寿命与温度、载流子浓度的依赖关系进行了研究.结果发现,Hg空位型HgCdTe材料,在非本征区范围内,SRH再结合机制起主要作用;在本征区域,Auger再结合和Radiative再结合机制起主要作用.通过拟和得到,低温下作为SRH再结合中心的汞空位能级位置在离价带顶30meV处,有着类受主的性质,起库仑吸引作用,限制了材料的少子寿命.As掺杂P型材料的少子寿命与同载流子浓度Hg空位为主的P型材料少子寿命相比,大了一个数量级.这就决定了As掺杂P型材料制成的红外探测器件比Hg空位P型材料的探测率高,因此这种材料更适合做多色红外焦平面列阵探测器. 相似文献
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