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作者通过氢气表面热处理,获得了具有较好特性的Al/n—6H—SiC欧姆接触.在这种H2处理后的SiC表面,可以直接通过蒸铝(Al)形成欧姆接触,而无须进行退火处理.该方法也适用于低掺杂外延层上的欧姆接触.XPS测试表明,这种欧姆接触是在400℃以上的退化时,由Al及6H—SiC中的Si元素互扩散所致. 相似文献
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