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1.
用射频磁控溅射方法制备了一系列颗粒型 N i/Pb不连续多层膜样品 ,并采用 X射线衍射方法表征了样品的微观结构。在铁磁共振实验中 ,观察到了一致进动模 (uniform m ode)和高场光学模 (optical mode)的共振吸收峰。主共振峰和光学模的峰位依赖于外磁场的角度及薄膜厚度。高场光学模的发现表明 ,颗粒型 N i/Pb不连续多层膜存在较强的反铁磁耦合 ,耦合强度随Pb层厚度以指数衰减形式变化。这与面内磁滞回线得到的饱和场随 Pb层厚度的变化关系定性上一致。 相似文献
2.
何贤美 《安庆师范学院学报(自然科学版)》2003,9(1):21-24
由于引入"半波损失"这一概念而导至计算光的干涉明暗条纹公式不统一,不确定,从而导至学生在学习这一部分内容上的混乱,为此提出条纹级次不引入"半波损失"概念,从而使五花八门的干涉条纹公式变为一条,这样便于记忆。 相似文献
3.
用磁控溅射方法制备了两个具有不同Fe层厚度的[Ni80Co20(L)/Fe(tFe)]N多层膜系列样品,其中tFe=0.1和2nm.研究了两个系列样品的磁及输运性质随Ni80Co20层厚度L的变化关系.在退火态[Ni80Co20(L)/Fe(0.1nm)]N系列样品中,发现各向异性磁电阻(AMR)和横向磁电阻(TMR)在L为10nm附近存在一较宽的增强峰,其峰位与制备态[Ni80Co20(L)/Fe(2nm)]25多层膜TMR的增强峰位一致.当L小于Ni80Co20合金的电子平均自由程时,制备态[Ni80Co20(L)/Fe(0.1nm)]N样品的各向异性磁电阻(Δρ)和零场电阻率ρ都随L的减小而增加,且ρ的增量超过Δρ的增量.ρ随L的依赖关系可采用Fuchs-Sondheimer理论描述.在L小于10nm时,制备态界面掺杂[Ni80Co20(L)/Fe(0.1nm)]N系列样品的矫顽力Hc随L近似直线上升,在L大于10nm后趋于饱和.退火后Hc显著下降.实验结果表明,在多层膜结构中,界面散射可导致ρ和Δρ的增强;磁性合金界面层还可导致畴结构的改变及TMR和AMR的增强. 相似文献
4.
何贤美 《安庆师范学院学报(自然科学版)》1996,2(3):68-69
指出现行电动力学教科书中关于介质球极化强度计算中一个应予澄清之问题,并对此问题做了澄清。 相似文献
5.
何贤美 《安庆师范学院学报(自然科学版)》1996,2(4):79-80
本文用直观的几何方法表示出P-V图上理想气体在负斜率直线过程中的温度最高点,吸放热转变点,是热容的正负取决于过程发生在P-V图上的区域。 相似文献
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7.
8.
关于静态电磁场的动量密度 总被引:3,自引:1,他引:3
何贤美 《安徽师范大学学报(自然科学版)》2003,26(2):137-138
本文由动量、能量守恒定律,简便地推导出静态电磁场的动量密度表达式。与通常做法不同,推导过程未涉及麦克斯韦方程组。 相似文献
9.
10.
何贤美 《安庆师范学院学报(自然科学版)》1996,(4)
本文用直观的几何方法表示出P-V图上理想气体在负斜率直线过程中的温度最高点,吸放热转变点,及热容的正负取决于过程发生在P-V图上的区域. 相似文献
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