界面电子转移对纳米TiO2薄膜导电性的影响

研究纳米TiO₂薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系. 结果表明， 沉积在Ti和Si基底上的TiO₂薄膜的电阻率随着膜厚的 增加而非线性增大, 分别经历了导体、 半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程， Ti O₂薄膜导电层厚度也不相同， 沉积在玻璃表面TiO₂薄膜为绝缘体. 这些现象是界面电子在界面的转移所致， 基底材料与薄膜功函数差的大小决定了导电层厚度.     

对广东风华高新科技股份有限公司研究院的调查

在短短一年的时间里,省委常委、副省长李鸿忠两次视察了广东风华高新科技股份有限公司研究院(以下简称“风华研究院”),听取了研究院的汇报,详细了解了研究院的发展情况,称赞他们是全省企业研究院的一面旗帜。《西江日报》也以《风华研究院硕果累累》为题,在头版显著位置报道了研究院在研究开发中取得的辉煌战果。原市科委主任认为,风华研究院的特点可以归纳为五句话,这就是:方向明、路子对、机制活、转化快、效益好。     

明确思路突出重点优化服务--肇庆市发展高新技术产业浅析

肇庆市在国家和省科技部门的指导和大力支持下,从自己的实际出发,组织实施火炬计划,大力发展高新技术产业,取得了可喜的成绩。现在,全市共有68个项目列入了国家级和省级火炬计划项目,其中国家级33项,国家级重点项目2项。全市经省认定的高新技术企业已达36家,国家火炬计划重点高新技术企业4家。     

HPLC法同时测定氨咖黄敏胶囊中三种成分

建立同时测定氨咖黄敏胶囊中对乙酰氨基酚、咖啡因、马来酸氯苯那敏含量的HPLC法.色谱柱为Agilent ZORBAX SB-C18(150 mm×4.6 mm,5μm);流动相为磷酸二氢铵溶液(取0.1 mol/L磷酸二氢铵溶液1 000 mL,加磷酸1 mL,混匀)-乙腈(82:18),流速为1.0 mL/min,检测波长为216nm,柱温27℃.线性范围为对乙酰氨基酚2.020～ 25.245 μg,r=0.999 6;咖啡因0.099～1.240 μg,r=1.000 0;马来酸氯苯那敏0.020 ～0.256 μg,r=1.000 0;平均回收率:对乙酰氨基酚97.1％,RSD=0.78％;咖啡因99.2％,RSD=0.70％;马来酸氯苯那敏98.6％,RSD =0.89％.本方法简便、快速、准确,可更好地控制氨咖黄敏胶囊的质量.     

CdZnTe(110)面表面原子弛豫和表面态的研究

通过真空Ar+离子刻蚀获得理想清洁的(110)表面,采用低能电子衍射(LEED)观察了(110)面表面原子结构,观察到(110)面表面未发生重构.采用光电子能谱技术验证了(110)面表面原子结构发生了弛豫.采用角分辨光电子谱(angle-resolved photoemission spectropy)实验测量出在费米能级以下0.9eV处存在峰宽约为0.8eV的表面态.并估算出其表面电荷密度约为6.9×1014cm-2,亦即表面Te和Cd(Zn)原子各有一个悬键.     

氮化硼薄膜内应力的红外光谱研究

用射频(RF)磁控溅射制备了立方氮化硼(c-BN)薄膜。FTIR光谱和电子衍射实验表明:该薄膜是纯的,其结晶度很高。FTIR光谱研究指出,基板负偏压是c-BN相形成的重要因素,但也由此产生了c-BN薄膜的应力,且负偏压越高,产生的应力越大。比较透射谱和反射谱的结果,c-BN薄膜表面层的应力小于内部的。按照c-BN形成的压力模型,表面应力小到一定程度可能影响c-BN的继续生长。一个特制的分层结构BN薄膜保留了由于应力造成的c-BN的裂纹,这个裂纹分布在一些同心圆上,中心是缺陷或杂质,同心圆之间有明显的分界线,把c-BN表层分割成许多应力区。     

薄膜沉积过程中TiO_2的金红石相向锐钛矿相转变

用ＲＦ磁控放电方法以纯金属钛做靶材在氩氧混合气体中制备了ＴｉＯ２薄膜,Ｒａｍａｎ光谱测量表明,在２Ｐａ工作气压下制备的ＴｉＯ２薄膜为锐钛矿结构,而在０２Ｐａ工作气压下制备的是金红石结构。工作气压的改变引起了ＴｉＯ２薄膜沉积中的相转变。     

Structural stability and electrical properties of AIB2-type MnB2 under high pressureStructural stability and electrical properties of AIB2-type MnB2 under high pressureStructural stability and electrical properties of AIB2-type MnB2 under high pressureStructural stability and electrical properties of AIB2-type MnB2 under high pressure

The structural stability and electrical properties of A1B2-type MnB2 were studied based on high pressure angle- dispersive x-ray diffraction, in situ electrical resistivity measured in a diamond anvil cell （DAC） and first-principles calcu- lations under high pressure. The x-ray diffraction results show that the structure of A1B2-type MnB2 remains stable up to 42.6 GPa. From the equation of state of MnB2, we obtained a bulk modulus value of 169.9~3.7 GPa with a fixed pressure derivative of 4, which indicates that A1B2-type MnB2 is a hard and incompressible material. The electrical resistance un- dergoes a transition at about 19.3 GPa, which can be explained by a transition of manganese 3d electrons from localization to delocalization under high pressure.     

(002)取向AIN薄膜的Raman光谱

（００２）取向ＡＩＮ薄膜的Ｒａｍａｎ光谱赵永年王波何志罗微邹广田（吉林大学超硬材料国家重点实验室长春１３００２３）ＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒａｏｆＡＩＮＦｉｌｍｓＯｒｉｅｎｔｅｄｉｎ（００２）ＺｈａｏＹｏｎｇｎｉａｎ，ＷａｎｇＢｏ，ＨｅＺｈｉ，ＬｕｏＷｅ...     

反对雇佣思想 提倡共产主义劳动态度

我们社会主义的中华人民共和国,已经走过了三十四年的光辉历程。我国公有制的生产关系,也经受了四分之一世纪的严峻的考验,与之相适应的分配关系,即“各尽所能,按劳分配”的社会主义原则,在与“左”的和右的错误倾向的斗争中,挣脱羁绊,日益显示出它的客观必然性和巨大的能动性,在我国的经济生活中发挥着越来越大的作用。但是,我们也看到,现实生活中仍然存在着用雇佣思想和平均主义的态度对待“各尽所能,按劳分配”原则的现象。这就要求我们,很有必要在当前结合各个方面的改革,正确宣传和坚决执行“各尽所能,按劳分配”的原则,继续在人民群众中进行反对雇佣思想和提倡共产主义劳动态度的教育,以保证社会主义现代化建设沿着正确的方向前进。