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本文研究了在HF—CVD法中,衬底温度Ts对PETEOS(等离子体增强正硅酸乙酯)氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明:Ts变化影响PETEOS氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ts较低时(750—820℃),PETEOS氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面;随Ts升高(>820℃),氧化硅区域成核密度增加很快;当Ts>850℃时,氧化硅区域成核密度超过硅表面。 相似文献
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用质子核磁共振(1HNMR)方法对等离子体化学气相淀积非晶氢化氮化硅薄膜(PECVD-α-SiNx:H)进行测量,分析膜中H的含量和分布与淀积温度、射频功率等工艺条件的关系,以及退火的影响。 相似文献
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现场采集PETEOS发射光谱,分析和研究用等离子体正硅酸乙酯淀积氧化硅反应的机理和产物,并初步探究如何达到工艺控制,应用于生产的问题。 相似文献
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用红外光谱、质子核磁共振谱对以SiH4/NH3/N2混合气体为源、用等离子体增强化学气相淀积法淀积的非晶氢化氮化硅(a-SiNx:H)薄膜进行了分析,结果表明膜中H以Si-H和N-H形式存在,均呈集聚和疏散两种分布状态,衬底温度影响氢的总量和分布均匀性,射频功率显著影响[N-H]/[Si-H],退火后氢仍呈集聚和疏散两种分布. 相似文献
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