High-voltage super-junction lateral double-diffused metal-oxide semiconductor with a partial lightly doped pillar

A novel super-junction lateral double-diffused metal-oxide semiconductor(SJ-LDMOS) with a partial lightly doped P pillar(PD) is proposed.Firstly,the reduction in the partial P pillar charges ensures the charge balance and suppresses the substrate-assisted depletion effect.Secondly,the new electric field peak produced by the P/P-junction modulates the surface electric field distribution.Both of these result in a high breakdown voltage(BV).In addition,due to the same conduction paths,the specific on-resistance(R on,sp) of the PD SJ-LDMOS is approximately identical to the conventional SJ-LDMOS.Simulation results indicate that the average value of the surface lateral electric field of the PD SJ-LDMOS reaches 20V/μm at a 15μm drift length,resulting in a BV of 300V.     

利用刨床加工ZGMn 13的刀具选择与探讨

通过刀具的选择以及刀具角度的确定,解决ZGMn13难加工材料的机械加工,从而获得较好的经济效益,提供给同行人员参考.     

出口退税对出口贸易长期与短期影响的实证研究

实施出口退税通常是一国政府提升本国出口商品竞争能力,扩大出口额的有效手段。从出口退税政策对我国出口贸易增长所发挥的作用进行深入研究,可以看出出口退税与出口额之间的长期均衡关系。以2004年1月新政策的实施为标志,通过实证研究,可以显示出出口退税对出口贸易所产生的深远影响。     

基于实体识别的在线主题检测方法

为提高在线主题的检测效率,作者提出了一种基于实体识别技术的在线主题检测方法,利用新闻报道中的命名实体快速判断新到达报道与历史主题的关系,从而减少对报道间文本相似度的计算。实验结果显示,本文提出的方法能够在不牺牲检测准确率的基础上,显著提高在线主题检测的效率。     

Low on-resistance high-voltage lateral double-diffused metal oxide semiconductor with a buried improved super-junction layer

A novel low specific on-resistance （Ron,sp） lateral double-diffused metal oxide semiconductor （LDMOS） with a buried improved super-junction （BISJ） layer is proposed. A super-junction layer is buried in the drift region and the P pillar is split into two parts with different doping concentrations. Firstly, the buried super-junction layer causes the multiple-direction assisted depletion effect. The drift region doping concentration of the BISJ LDMOS is therefore much higher than that of the conventional LDMOS. Secondly, the buried super-junction layer provides a bulk low on-resistance path. Both of them reduce Ron,sp greatly. Thirdly, the electric field modulation effect of the new electric field peak introduced by the step doped P pillar improves the breakdown voltage （BV）. The BISJ LDMOS exhibits a BV of 300 V and Ron,sp of 8.08 mΩ·cm2 which increases BV by 35% and reduces Ron,sp by 60% compared with those of a conventional LDMOS with a drift length of 15 μm, respectively.     

简述中亚地区面临的恐怖主义威胁

在全球联合打击恐怖主义的情势下,中亚地区仍然面临着恐怖组织的袭击,与传统恐怖恐怖主义不同,今天的恐怖袭击,极大可能会使用生化核武器,即我们所说的大规模杀伤性武器,这种手段极其残忍,杀伤性大,防患未然,中亚应利用上合组织积极联合起来,一起应对恐怖主义的威胁。     

CH3（CH2）nSO4-（n=7--17）表面活性剂电子结构与表面张力的关系

用B3LYP／6—31G＊研究了不同烷基链阴离子表面活性剂的键长、键角和净电荷等随着碳原子数的增加而呈现的变化规律，考察了表面活性剂的结构与表面张力的关系。结果表明：（1）C—O键长和（YS-O平均键角与碳原子数有关；（2）端基净电荷和极性头净电荷随着碳原子增加而增加。     

出口退税对出口贸易长期与短期影响的实证研究

实施出口退税通常是一国政府提升本国出口商品竞争能力,扩大出口额的有效手段.从出口退税政策对我国出口贸易增长所发挥的作用进行深入研究,可以看出出口退税与出口额之间的长期均衡关系.以2004年1月新政策的实施为标志,通过实证研究,可以显示出出口退税对出口贸易所产生的深远影响.     

盐碱地膜下滴灌对耕层土壤理化性状的影响

以常规灌为对照,着重探讨了盐碱荒地薄膜覆盖滴灌甜菜土壤理化性质的变化特点.结果表明在甜菜生育过程中,膜下滴灌能降低膜下土壤容重,改善膜内耕层透气条件,并能降低膜下耕层土壤pH、水溶性总盐,利于甜菜在盐碱荒地正常生长,是苗期得以存活的重要原因.收获时,耕层有机质、全氮、碱解氮均有所下降,表明N\-\{240\}在生荒盐碱地上尚未完全满足甜菜达到高产的需要.     

岩溶地区桩基成孔技术研究

根据岩溶地区的地质特点,本文论述了岩溶地区桩基冲击成孔技术,以及成孔中有关问题的处理。