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High-voltage super-junction lateral double-diffused metal-oxide semiconductor with a partial lightly doped pillar
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A novel super-junction lateral double-diffused metal-oxide semiconductor(SJ-LDMOS) with a partial lightly doped P pillar(PD) is proposed.Firstly,the reduction in the partial P pillar charges ensures the charge balance and suppresses the substrate-assisted depletion effect.Secondly,the new electric field peak produced by the P/P-junction modulates the surface electric field distribution.Both of these result in a high breakdown voltage(BV).In addition,due to the same conduction paths,the specific on-resistance(R on,sp) of the PD SJ-LDMOS is approximately identical to the conventional SJ-LDMOS.Simulation results indicate that the average value of the surface lateral electric field of the PD SJ-LDMOS reaches 20V/μm at a 15μm drift length,resulting in a BV of 300V. 相似文献
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通过刀具的选择以及刀具角度的确定,解决ZGMn13难加工材料的机械加工,从而获得较好的经济效益,提供给同行人员参考. 相似文献
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实施出口退税通常是一国政府提升本国出口商品竞争能力,扩大出口额的有效手段。从出口退税政策对我国出口贸易增长所发挥的作用进行深入研究,可以看出出口退税与出口额之间的长期均衡关系。以2004年1月新政策的实施为标志,通过实证研究,可以显示出出口退税对出口贸易所产生的深远影响。 相似文献
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基于实体识别的在线主题检测方法 总被引:2,自引:0,他引:2
为提高在线主题的检测效率,作者提出了一种基于实体识别技术的在线主题检测方法,利用新闻报道中的命名实体快速判断新到达报道与历史主题的关系,从而减少对报道间文本相似度的计算。实验结果显示,本文提出的方法能够在不牺牲检测准确率的基础上,显著提高在线主题检测的效率。 相似文献
5.
Low on-resistance high-voltage lateral double-diffused metal oxide semiconductor with a buried improved super-junction layer
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A novel low specific on-resistance (Ron,sp) lateral double-diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) with a buried improved super-junction (BISJ) layer is proposed. A super-junction layer is buried in the drift region and the P pillar is split into two parts with different doping concentrations. Firstly, the buried super-junction layer causes the multiple-direction assisted depletion effect. The drift region doping concentration of the BISJ LDMOS is therefore much higher than that of the conventional LDMOS. Secondly, the buried super-junction layer provides a bulk low on-resistance path. Both of them reduce Ron,sp greatly. Thirdly, the electric field modulation effect of the new electric field peak introduced by the step doped P pillar improves the breakdown voltage (BV). The BISJ LDMOS exhibits a BV of 300 V and Ron,sp of 8.08 mΩ·cm2 which increases BV by 35% and reduces Ron,sp by 60% compared with those of a conventional LDMOS with a drift length of 15 μm, respectively. 相似文献
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在全球联合打击恐怖主义的情势下,中亚地区仍然面临着恐怖组织的袭击,与传统恐怖恐怖主义不同,今天的恐怖袭击,极大可能会使用生化核武器,即我们所说的大规模杀伤性武器,这种手段极其残忍,杀伤性大,防患未然,中亚应利用上合组织积极联合起来,一起应对恐怖主义的威胁。 相似文献
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实施出口退税通常是一国政府提升本国出口商品竞争能力,扩大出口额的有效手段.从出口退税政策对我国出口贸易增长所发挥的作用进行深入研究,可以看出出口退税与出口额之间的长期均衡关系.以2004年1月新政策的实施为标志,通过实证研究,可以显示出出口退税对出口贸易所产生的深远影响. 相似文献
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盐碱地膜下滴灌对耕层土壤理化性状的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以常规灌为对照,着重探讨了盐碱荒地薄膜覆盖滴灌甜菜土壤理化性质的变化特点.结果表明在甜菜生育过程中,膜下滴灌能降低膜下土壤容重,改善膜内耕层透气条件,并能降低膜下耕层土壤pH、水溶性总盐,利于甜菜在盐碱荒地正常生长,是苗期得以存活的重要原因.收获时,耕层有机质、全氮、碱解氮均有所下降,表明N\-\{240\}在生荒盐碱地上尚未完全满足甜菜达到高产的需要. 相似文献
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