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1.
La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜铁电性能的影响   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
利用Sol-Gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜,研究了La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的晶体结构、铁电性能和疲劳特性的影响,发现La掺杂没有改变Bi4Ti3O12薄膜的基本晶体结构,并且提高了Bi4Ti3O12铁电薄膜的剩余极化值和抗疲劳性能,对La掺杂改善Bi4Ti3O12铁电薄膜性能的机理进行了讨论.  相似文献   
2.
中关村科技园区是北京自主创新的重要载体,也是中国高新技术产业发展的一张"名片".增强自主创新能力,中关村科技园区建设是关键.  相似文献   
3.
本文研究了储氢合金表面处理,粒度分布,稀土组成和添加剂硼对储氢合金高倍率放电性能的影响及机制的探讨。采用物理方法和化学方法对储氢合金进行表面处理,提高了合金表面电化学反应速度,同时促进了氢原子在合金本体中的扩散,从而改善了合金的活化性能、放电容量和高倍率放电能力。储氢合金粉粒度太粗和太细都使合金电极阻抗增大,导致放电容量和高保率放电能力下降,而且大电流放电平台也较低,选择合适的储氢合金粉粒度分布既可提高合金的活性和放电容量又能改善合金高倍率放电能力。随着合金中La含量的增加和Ce含量的减少,提高了合金的表面活性,使合金的大电流放电性能得到改善。储氢合金中加入元素B,使合金易粉化并形成少量的第二相,不但改善了合金的活性和放电容量而且显著地提高了合金高倍率放电能力。  相似文献   
4.
应用阳极氧化技术在单晶硅片上生长一层多孔硅(PS)薄膜,用真空镀膜方法分别在其上下两面蒸发一层适当厚度的金属铝作为电极,设计了两种电极图形,制成二端结构的敏感元件.在不同湿度环境下,测出其电容值,得到了多孔硅RH-C湿敏特性曲线.通过不同材料、不同工艺条件的试验研究发现:多孔硅湿敏元件的湿敏特性、响应时间与其孔隙率、膜厚等参数有关.从而,确定了适合于敏感应用的材料导电类型、电导率、工艺条件和元件结构  相似文献   
5.
探讨了冠脉内移植自体骨髓间充质细胞的方法治疗冠心病心力衰竭的安全性和有效性.以冠心病心力衰竭患者58例为研究对象,随机分为细胞移植组和对照组,两组均予常规抗心力衰竭药物治疗,细胞移植组自体骨髓干细胞经冠脉造影导管注入左、右冠状动脉.两组术前,术后1、3、6、12个月分别评估心功能,行超声心动图检查、6min步行试验.测...  相似文献   
6.
本文采用三层光刻工艺制作了基于聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)的V形微分流器。引入牺牲层技术,解决了不同胶层间的界面互融问题,讨论了不同胶层间显影液对图形质量的影响。所制得的分流器工艺简单,结构形貌良好,具有良好的微流控制作用,满足器件使用要求。  相似文献   
7.
La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜铁电性能的影响   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
郭冬云  王耘波  于军  高俊雄  李美亚 《物理学报》2006,55(10):5551-5554
利用Sol-Gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜,研究了La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的晶体结构、铁电性能和疲劳特性的影响,发现La掺杂没有改变Bi4Ti3O12薄膜的基本晶体结构,并且提高了Bi4Ti3O12铁电薄膜的剩余极化值和抗疲劳性能,对La掺杂改善Bi4Ti3O12铁电薄膜性能的机理进行了讨论. 关键词: 铁电性能 4Ti3O12薄膜')" href="#">Bi4Ti3O12薄膜 3.25La0.75Ti3O12薄膜')" href="#">Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜 sol-gel法 La掺杂  相似文献   
8.
讨论了电子镇流器可靠性设计的有关原理和方法,并从电路网络的固有可靠性设计、降额设计、电磁兼容设计与耐环境设计等方面论述了HUST-YZ40EB型电子镇流器可靠性设计与制造的技术方案.  相似文献   
9.
<正> 目前,各学校不断发展、加强计算机网络的建设,但在计算机网络安全方面还存在很多漏洞和认识上的误区。"计算机网络安全"问题是一个很大的课题涉及面极为广泛,本文就校园计算机网络单机用户安全防护问题展开探讨,目的是提高大家的网络应用水准与加强人们的网络安全防范意识。一、为什么网络计算机单机用户也要进行安全防护  相似文献   
10.
利用固相反应方法制备了名义成分为La2 / 3Ca1 / 3Mn1 -xFexO3(0 .0 1≤x≤ 0 .2 0 )的一系列样品 .在整个掺杂范围内晶体结构没有明显变化 .在室温下测量了各样品的M ssbauer谱 ,拟合结果表明 +3价高自旋态的铁离子占据锰的八面体晶位 ,随Fe掺杂量的增加 ,铁离子的 3d电子出现局域化趋势 ,并伴随Fe O配位体畸变程度的增强 .本文对此进行了讨论 .  相似文献   
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