2(3)-四-(2-异丙基-5-甲基苯氧基)酞菁铜的合成、 光特性及电化学性质

利用分步合成方法在酞菁铜外围引入4个2-异丙基-5-甲基苯氧基团, 合成一种酞菁铜, 经过表征确定了化合物结构. 分析结果表明, 此化合物在低温近红外1 180 nm左右有较强的光磷光发光, 可作为潜在的近红外发光材料. 电化学的研究结果表明, 这种化合物的电化学过程是环上氧化还原的单电子过程.     

用椭圆偏振光谱法研究取代基对酞菁薄膜光学常数的影响

利用M-2000UI型宽光谱可变入射角椭偏仪研究十六氟铜酞菁(F16CuPc)和铜酞菁(CuPc)薄膜的光学性质. 在248～1 650 nm使用逐点拟合的方法对测得椭偏光谱进行分析, 获得两种薄膜的折射率、消光系数、复介电常数和吸收系数. 讨论了外环氟取代基对酞菁光学性质的影响, 结果表明, 共轭酞菁大环上的外围取代基对薄膜的响应波长和非正常色散影响较大. 分析了两种酞菁的电子结构及吸收谱成因, 并由吸收边外推得到两种材料的光学禁带宽度(Eg).     

2(3)-四-(2-异丙基-5-甲基苯氧基)钛氧酞菁的合成及其近红外发光特性

通过分步合成的方法,在钛氧酞菁的外围引入了四个苯氧基团,合成了一种2(3)-四-(2-异丙基-5-甲基苯氧基)钛氧酞菁.通过质谱、核磁、元素分析、紫外可见吸收光谱、近红外光荧光谱和循环伏安法对其结构和性质进行了表征,并利用旋涂加真空热蒸发的方法制得了该材料的电致发光器件(ITO/PVK:TiOPc/BCP/LiF/Al).结果表明,四取代的钛氧酞菁固态的近红外光荧光峰值在1080nm左右;其近红外电致发光的峰值波长落在1050nm左右.在PVK掺杂的器件中,钛氧酞菁的质量分数为30%时有较强的发光强度.     

新型酞菁的光致发光性质研究

研究了2,3-四-(2-异丙基一5-甲基苯氧基)氢酞菁在10,77,177和300 K下石英衬底上的浇铸膜和单晶硅衬底上真空镀膜(约200 nm厚)在300 K下光致发光光谱.氢酞菁的浇铸膜光致发光光谱在上述温度下均出现荧光发射和磷光发射峰,在177和300 K下出现了1 673 nm激基缔合物峰.该峰的出现与分子抗聚集能力的强弱有关,在300 K激基缔合物峰比在177 K下的峰强,从氢酞菁分子结构特点讨论了形成激基缔合物的原因.随着温度的升高,可以观察到荧光发射峰渐渐减弱而激基缔合物峰变强.由于浇铸膜和真空镀膜的酞菁分子聚集态不同导致了斯托克司位移的差异,真空镀膜的发光峰峰值在1 140 nm左右,与酞菁浇铸膜的峰值差别较大.浇铸膜的发光峰的半高宽为300 nm,而真空镀膜发光峰的半高宽为100 nm左右.     

11,8(11),15(18),22(25)-四苯氧基金属酞菁的合成与表征

以3-硝基邻苯二腈为前体制备了四苯氧基取代的金属酞菁6～9,对合成化合物进行了质谱、氢核磁、元素分析、红外及紫外可见光谱表征,表征结果证明了它们的分子结构.这些酞菁在有机溶剂中具有很好的溶解性.由于酞菁外围的苯氧基取代基能在一定程度上减弱酞菁的聚合效应,它们不易聚合.产物7和9在极性较小的溶剂(如C6H6和CHCl3)中的紫外吸收光谱与其在极性较大的溶剂(如THF和DMF)中的紫外吸收光谱相比,在740 nm左右多了一个额外的吸收峰,这种现象是不多见的.     

氮杂酞菁铜aza-CuPc的合成与晶体结构

本文报道在固相条件下合成氮杂酞菁铜原料, 借助同步辐射光源进行单晶结构测试, 通过物理方法获得了其单晶结构数据.     

铒酞菁的合成及光学性质研究

使用溶剂热法合成了三种具有不同分子对称性的三明治结构的铒酞菁,并用时间飞行质谱、元素分析、紫外-可见-近红外吸收谱和近红外光致发光谱对它们的结构和近红外光谱特性进行了表征.在酞菁铒[Er(Pc)2]的吸收谱中,可以明显看到其中位于318 nm附近的吸收带为B带,对应着酞菁配体的π-π*电子跃迁,位于667nm附近的吸收带为Q带,也对应着酞菁配体的π-π*电子跃迁,1528 nm附近有一个强度非常弱的吸收,对应着三价铒离子4I15/2-4I13/2跃迁的吸收.在二笨甲酰基甲烷酞菁铒[Er(Pc)(DBM)]的吸收谱中,与Er(Pc)2的吸收谱类似,只是Q带红移了11nm,达到672nm,B带红移了24nm,达到342nm.值得注意的是:随着配合物分子结构不对称性的增加1530nm附近的发射增强.这被认为是由于三价铒离子所处的配体场的不对称性的增加导致原本宁称禁阻的4f-4f跃迁几率增加,从而使1530nm附近发射增强.1530nm处的发光对应着三价铒离子4I15/2-4I13/2跃迁.     

溶剂热法直接合成酞菁铜晶体

以喹啉为溶剂, 在反应釜中将1,3-二异吲哚、钼酸铵和二水乙酸铜在喹啉中反应, 降至室温后得到长10.5 mm针状的酞菁铜单晶, 最佳的反应条件: 以10 mL喹啉为溶剂, 于270 ℃反应8 h, 产率为51.3%.     

Organic Thin Film Field Effect Transistors with PMMA-GMA Gate Dielectric

We fabricate organic thin films using the copolymer of methyl methacrylate and glycidyl methacrylate （PMMA- GMA） as a gate dielectric with a simple top-contact structure. Copper phthalocyanine （CuPc） TFTs are fabricated and the influences of annealing on the performance are studied. The mobilities increase from 2.5 × 10^3 cm^2/Vs to 4.2 × 10^3 cm^2/Vs and threshold voltages decrease from -18 V to -10 V after annealing. The good performances of the devices approach those obtained with inorganic gate dielectric materials such as silicon dioxide under the same technical conditions. It is fully proven that PMMA-GMA is a competitive candidate as an excellent gate insulation layer.     

Near-infrared electroluminescent diodes based on copper hexadecafluorophthalocyanine CuPcF16

We demonstrate the near-infrared （NIR） organic light-emitting devices （OLEDs） based on copper hexade-cafluorophthalocyanine （CuPcF16） doped into 2,2,2”-（1,3,5-benzenetriyl）tris-[1-phenyl-1H-benzimidazole] （TPBI）. The device structure is ITO/ NPB/ TPBI：CuPcF16/BCP/Alq3/Al. Room-temperature electro- luminescence is observed at about 1106 nm due to transitions from the first excited triplet state to the ground state （T1-S0） of CuPcF16. The result indicates that FSrster and Dexter energy transfers play a minor role in these devices, while the direct charge trapping is the dominant mechanism. The absorption spectra of CuPeF16 solution in pyridine and vacuum sublimed films on quartz have also been investigated.