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本文利用线性电压扫描法,对MOS电容的c-t曲线进行逐点处理,得到了τ_g-t、s_g-t下的曲线.由τ_g-t的曲线可以方便地找出τ_g-x的分布.这种方法不仅能将s_g与τ_g分离出来,而且能一次测得τ_g随深度x的变化而变化的关系,以及s_g随表面势变化而变化的讯息. 相似文献
2.
本文用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究镓砷磷发光二极管(GaAs_(0.8)P_(0.4)-LED)中的电子陷阱.温度扫描从77K至300K.结果表明,用“磷烷法”和“磷压法”两种VPE工艺制得的样品具有相同的两个电子陷阱,阱陷的浓度与两种工艺间呈现一定的规律. 相似文献
3.
利用聚碳硅烷与碳化硅粉混合,采用陶瓷工艺,低温烧成了碳化硅热敏电阻,其lnR-1/T关系具有鲜明的两段线性区.借助两相结构(α-SiC粉被聚碳硅烷热解得到的β-SiC所包围)的电流输运通道模型,用能带理论,计算了一个微导电单元的电导,从而对阻-温特性中反映的两种激活能的本质作出了解释. 相似文献
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