NiOxHy薄膜的电致变色特性和机理

运用循环伏安和阶跃电位方法研究了Ni（OH）2粉末靶直流溅射沉积的NiOxHy薄膜电致变色特性．结合实时的光透射-时间变化，发现着色后的薄膜在零外电势下有一自发的消色过程，该过程可能对应着Li 的自发注入。着色没有自发过程，获取了着消色状态Ni2p3／2和O1s的XPS谱，表明在着色态镍被氧化，消色态镍被还原，相应地氧的化学环境发生改变．     

直流溅射法制备电致变色WO_3膜

采用ＷＯ３陶瓷靶直流溅射制作了电致变色膜．介绍了制膜工艺．分析测试表明，膜有无定形结构；除有正常成分ＷＯ３外，还含有来自衬底及反应室内的微量杂质．电致变色谱响应特性和电化学特性的测量证明，膜的电色活性良好．还对实验结果作了理论分析．     

直流溅射电致变色NiOxHy膜的研究

采用直流溅射Ni(OH)2粉末压实靶制作了电致变色膜.介绍了制膜工艺,用XRD谱研究了着色前、后膜的结构,XPS谱研究Ni、O的结合.谱响应特性和电化学特性表明,膜的电色活性良好.     

用微处理机逐点处理法快速测定τ_g的分布和S_g的变化

本文利用线性电压扫描法,对MOS电容的c-t曲线进行逐点处理,得到了τ_g-t、s_g-t下的曲线.由τ_g-t的曲线可以方便地找出τ_g-x的分布.这种方法不仅能将s_g与τ_g分离出来,而且能一次测得τ_g随深度x的变化而变化的关系,以及s_g随表面势变化而变化的讯息.     

电子束蒸发 WO_3-基气敏薄膜特性的研究

介绍了用电子束蒸发制作ＷＯ３气敏薄膜、溅射掺Ａｕ、膜的热处理工艺以及对Ｈ２Ｓ气体的敏感特性测量的初步结果．着重讨论了ＷＯ３膜的稳定化过程．     

镓砷磷红色发光二极管中的电子陷阱

本文用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究镓砷磷发光二极管(GaAs_(0.8)P_(0.4)-LED)中的电子陷阱.温度扫描从77K至300K.结果表明,用“磷烷法”和“磷压法”两种VPE工艺制得的样品具有相同的两个电子陷阱,阱陷的浓度与两种工艺间呈现一定的规律.     

直流溅射法制备电致变色WO3膜

采用WO3陶瓷靶直流溅射制作了电致变色膜.介绍了制膜工艺.分析测试表明,膜有无定形结构;除有正常成分WO3外,还含有来自衬底及反应室内的微量杂质.电致变色谱响应特性和电化学特性的测量证明,膜的电色活性良好.还对实验结果作了理论分析.     

硅太阳电池材料的深能级瞬态谱检测

本文利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,检测和分析了制作硅太阳电池的低阻硅材料。结果表明,即使是专门订制的低阻(CZ)硅材料,通常也存在一个或若干个深中心,它们对太阳电池效率有很大影响。本文认为,制作高效率太阳电池的硅材料,除常规要求外,还应对其深中心浓度有严格的要求,即DLTS谱中不出现明显的谱峰。     

硅MINP太阳电池的多子隧道效应

本文对MINP电池中的多子隧道电流进行了计算分析,从其伏安特性曲线得出太阳电池所允许的氧化层厚度的极限。     

电子束蒸发WO3—基气敏薄膜特性的研究

介绍了用电子束蒸发制作ＷＯ３气敏薄膜，溅射掺Ａｕ、膜的热处理工艺以及对Ｈ２Ｓ气体的敏感特性测量的初步结果。着重讨论了ＷＯ３膜的稳定化过程。