A位La和Dy替代Bi2O3-ZnO-Nb2O5陶瓷结构及介电性能的研究

研究了A位La,Dy替代对BZN基陶瓷结构和介电性能的影响.在替代量x≤0.2的范围内,La替代样品均保持单一的立方焦绿石结构;在x<0.15的范围内,Dy替代样品为单一的立方焦绿石相;当x=0.2时,结构中出现杂相.随着La、Dy替代量的增加,陶瓷样品的晶粒尺寸、密度和介电性能发生有规律的变化;低温介电弛豫峰的峰形逐渐宽化;La替代样品的峰值温度向低温方向移动,Dy替代样品的峰值温度向低温方向移动.与x为0.1、0.15和0.2相对应的La替代样品弛豫峰峰值温度tm分别为-95℃,-99℃,-104℃,Dy替代样品弛豫峰峰值温度tm分别为-96℃,-89℃,-85℃.     

非化学计量比对PZN—PT系铁电陶瓷结构稳定性的影响

本文研究了非化学计量比对ＰＺＮ—ＰＴ—ＢＴ铁电陶瓷结构稳定性的影响，结果表明，过量Ｚｎ２＋及过量Ｂａ２＋均对ＰＺＮ—ＰＺ—ＢＴ结构稳定性有利，但Ｂａ２＋过量超过一定量时，结构稳定性有下降趋势．     

随谷超豪学算——复旦大学数学系陈恕行教授访谈录

陈恕行教授1957年进入复旦大学数学系学习,1962年师从谷超豪读硕士研究生,毕业后留校任教至今,其间曾随谷超豪从事教学和科研.在复旦数学系五十多年,陈恕行不仅为复旦数学系的发展做出了贡献,对复旦数学系的发展也比较熟悉.通过此次访谈,不仅加深了对复旦数学系的进一步了解,更重要的是,对我们理解谷超豪学术成长过程中的研究转向及其原因,谷超豪如何继承发扬苏步青、陈建功开创的学术学派等提供了较为实在的资料.     

谷超豪大事年表简

1926年出生于浙江永嘉县城的谷超豪，少年时期背弃他出生的阶级参加中国共产党，在学习和工作中为革命尽心尽力。他具有极高的天分，对数学有着极大的兴趣，后放弃行政工作重返科研与教育岗位，长期担任复旦大学数学系教授，成为中国现代数学家第二代代表人物之一。他在微分几何、偏微分方程、数学物理等领域取得了重要的成就，1980年当选中科院学部委员，先后获得何梁何利终身成就奖、华罗庚数学家和国家最高科学技术奖等荣誉。作为著名的教育家，他培养一大批人才，建立了复旦大学偏微分方程学派，并先后担任复旦大学副校长、中国科技大学校长和温州大学校长等。本年表以大量的档案、著述、口述访谈等原始资料为基础，翔实地记述了谷超豪传奇而平凡的一生。     

低温共烧陶瓷片式微波谐振器的研究

介绍了低温共烧陶瓷片式微波谐振器的工艺过程、结构以及结构对谐振器参数的影响 ,谐振器与外电路的耦合采用耦合间隙在同一层内实现 ,这种新结构既可给制备工艺带来方便 ,又可减少工艺所带来的误差 .用多层陶瓷工艺技术、高介电常数和低温烧结微波陶瓷实现了中心频率为 1.8GHz、有载品质因数大于 2 0 0的试验单端口多层微波谐振器 .微波谐振器的体积小 ,整个谐振器的尺寸为 5mm× 2mm× 1mm ,适用于表面贴装技术 .     

PZN—PT—BT铁电陶瓷反应动力学

本文用高温ＸＲＤ研究了ＰＺＮ－ＰＴ－ＢＴ系铁电陶瓷在相界附近化学反应过程及反应动力学，研究结果表明该系材料首先生成焦绿石相，提高烧洁温度和延长烧结时间，可形成钙钛矿结构，但仍有少量焦绿石相。     

PZN—PT—BT系铁电陶瓷压电性能研究

本文详细研究了ＰＺＮ—ＰＴ—ＢＴ系铁电陶瓷在相界附近的压电性能，结果表明，在相界附近ｄ３３和ｋｐ出现极大值，并详细分析了其物理机制及结构对压电性能的影响．     

Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)1-xCuxO3陶瓷的介电性能、弛豫行为与结晶化学特性

采用固相合成法, Bi3+作施主掺杂A位, Cu₂₊作受主掺杂B位, 制备了Ba_0.98Bi_0.02(Ti_0.9Zr_0.1)_1-xCu_xO₃(x=0, 0.01, 0.02, 0.03)陶瓷样品。借助XRD、LCR等研究了该陶瓷的结构与介电性能。结果表明:当x=0.03时, 陶瓷样品出现第二相。通过GULP模拟, 缺陷偶极子的稳定性从低到高依次为:[2Bi_Ba^·+V_Ba"]、[2Bi_Ba^·+Cu_Ti/Zr"]、[Cu_Ti/Zr"+V_O^··], 结合实验可知:介电弛豫程度与晶体中缺陷偶极子的存在形式相关, 其中x=0.01时, 晶体中以[2Bi_Ba^·+Cu_Ti/Zr"]为主。随Cu₂₊掺杂量的增加, 介电常数增加, 介电常数与B位键价和呈反比变化、与八面体BO₆的体积呈正比变化。     

异价离子替位对PZN—PT系铁电陶瓷结构稳定性的影响

本文详细研究了异价离子（Ｋ￣＋，Ｌａ￣（３＋））替位对ＰＺＮ－ＰＴ系铁电陶瓷结构稳定性的影响，结果表明，Ｋ￣＋离子的引入有利于钙钛矿结构的稳定，而Ｌａ￣（３＋）离子的引入不利于钙钛矿结构的稳定。     

Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)1-xCuxO3陶瓷的介电性能、弛豫行为与结晶化学特性

采用固相合成法,Bi3+作施主掺杂A位,Cu2+作受主掺杂B位,制备了Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)1-xCuxO3(x=0,0.01,0.02,0.03)陶瓷样品。借助XRD、LCR等研究了该陶瓷的结构与介电性能。结果表明:当x=0.03时,陶瓷样品出现第二相。通过GULP模拟,缺陷偶极子的稳定性从低到高依次为:[2BiBa.+VBa″]、[2BiBa.+CuTi/Zr″]、[CuTi/Zr″+VO..],结合实验可知:介电弛豫程度与晶体中缺陷偶极子的存在形式相关,其中x=0.01时,晶体中以[2BiBa.+CuTi/Zr″]为主。随Cu2+掺杂量的增加,介电常数增加,介电常数与B位键价和呈反比变化、与八面体BO6的体积呈正比变化。