纳米科技:中国已成为研发前沿大国, 人工智能将助力其发展

<正>大数据科技经济舆情聚合监测平台显示:"纳米科技"近半年来累计相关报道8845篇,点击量6413739次,评论数16315条,关注网站891家。其中网媒6423篇(省内287篇,省外6023篇,境外113篇),论坛426篇,平媒549篇,政府网站291篇,博客17篇,微信1698篇,微博78篇,视频28篇。     

屋顶绿化轻型种植基质的水肥保持效应研究

屋顶绿化是海绵城市建设过程中的重要内容,而种植基质是屋顶绿化技术能否顺利实施的关键因素之一.本文选取4种常见的材料(普通土壤、腐殖质、蛭石和陶粒),通过设计试验,探究不同配比下腐殖质、蛭石和陶粒含量变化对基质保水保肥性的影响规律.结果显示:蛭石水分保持效果最优,且随其添加量增加而增强;腐殖质对氮磷增效保持效果最好,在一定范围内随添加量增多效果有增强趋势且效果持久;当腐殖质添加量占比为50.0%时,土壤氮磷同步增效最好;3种供试材料(腐殖质、蛭石和陶粒)的添加可增加土壤孔隙度,改善团粒结构,具有改良土壤的效应,对土壤水肥保持具有明显的增强效果,特别是添加材料间的协同作用最有益于实现水肥的高效耦合并提高绿化效果.研究结果为丰富我国现有的屋顶绿化类型及海绵城市建设提供参考依据.     

盐酸伊达比星杂质A的合成工艺优化及其高效液相分析

通过对盐酸伊达比星脱羟基杂质A的合成研究，为盐酸伊达比星的质控标准提供参考。以盐酸伊达比星为起始原料，经过4步反应得到脱羟基杂质A。本文提供了盐酸伊达比星杂质A的制备方法以及高效液相色谱分析方法，为杂质含量控制提供了依据。该工艺可以稳定、快速制备高纯度脱羟基杂质A，制备总收率为57.20%，纯度为57.20%，其结构经¹H NMR， ¹³C NMR和MS(ESI)表征。     

有限时滞微分系统依照双测度的实际稳定性

本文对具有有限时滞的泛函微分方程建立了关于依照两种测度的实际稳定性的Razumikhin型判定定理，其中未采用通常的辅助函数，且可运用多个含有状态变量x的部分变元的Lyapunov函数，得出部分变远实际稳定性的判定定理，从而改进了已有的结果。     

Characterizations of Tb:Zn2SiO4 films on silicon wafer prepared by sol-gel dip-coating and solid-phase reaction

Terbium-doped Zn_2SiO_4 films were successfully prepared on Si wafers by a simple sol-gel dip-coating and solid-phase reaction method of ZnO and SiO_2. X-ray diffraction (XRD) and UV－Vis absorption results revealed that films processed below 850℃ were ZnO in wurzite structure, and films processed above 850℃ were Zn_2SiO_4 in wellimite structure. Photoluminescence measurements of the Tb-doped Zn_2SiO_4 films showed two strong emission bands at 490 and 545nm. The photoluminescence lifetime was 4.6ms.     

水下多路水声测量信号光纤传输系统

以一个水声被动测量系统的工程项目为平台，介绍与其配套的水下多路水声测量系统的构成、主要电路环节和工作原理。     

p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征

采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 ,并随In含量的增加而增加     

试谈思路与技巧

函数是中学数学教材中的重点,同时也是难点。为什么这样提出呢?理由是:函数是高等数学中的基本概念之一,在各个分支里不少地方经常用到它。特别是近代科学技术在蓬勃发展,数学作为一种工具,它和各门学科都有密切的关联,因而函数概念更是必不可少的,所以     

Ce3+-冠醚配合物的紫外有机电致发光

采用5d-4f跃迁的稀土Ce³⁺-冠醚配合物(Ce-二环己基并-18-冠-6,Ce-DC18C6)作为发光掺杂剂,4,4'-二(9-咔唑基)联苯(CBP)为基质,设计制备了紫外发光器件:ITO/CuPc/Ce-DC18C6:CBP/Bu-PBD/LiF/Al,首次观测到峰位于376nm的Ce³⁺离子的紫外电致发光。通过对比器件的EL谱与Ce³⁺-冠醚配合物薄膜的PL谱发现,EL光谱中有部分来自Ce³⁺配合物中的Ce³⁺离子的。这种5d-4f电子跃迁的掺杂质量分数为3%时,该UV-发光器件的最大辐射功率为13μW/cm²。