全文获取类型
收费全文 | 21028篇 |
免费 | 4053篇 |
国内免费 | 5082篇 |
专业分类
化学 | 8916篇 |
晶体学 | 569篇 |
力学 | 875篇 |
综合类 | 697篇 |
数学 | 1785篇 |
物理学 | 6045篇 |
无线电 | 11276篇 |
出版年
2024年 | 100篇 |
2023年 | 296篇 |
2022年 | 719篇 |
2021年 | 694篇 |
2020年 | 623篇 |
2019年 | 605篇 |
2018年 | 642篇 |
2017年 | 899篇 |
2016年 | 664篇 |
2015年 | 998篇 |
2014年 | 1202篇 |
2013年 | 1646篇 |
2012年 | 1670篇 |
2011年 | 1719篇 |
2010年 | 1704篇 |
2009年 | 1836篇 |
2008年 | 1944篇 |
2007年 | 2001篇 |
2006年 | 1876篇 |
2005年 | 1554篇 |
2004年 | 1204篇 |
2003年 | 851篇 |
2002年 | 859篇 |
2001年 | 841篇 |
2000年 | 829篇 |
1999年 | 470篇 |
1998年 | 247篇 |
1997年 | 154篇 |
1996年 | 147篇 |
1995年 | 137篇 |
1994年 | 126篇 |
1993年 | 150篇 |
1992年 | 127篇 |
1991年 | 85篇 |
1990年 | 82篇 |
1989年 | 77篇 |
1988年 | 67篇 |
1987年 | 57篇 |
1986年 | 45篇 |
1985年 | 36篇 |
1984年 | 44篇 |
1983年 | 33篇 |
1982年 | 27篇 |
1981年 | 21篇 |
1980年 | 9篇 |
1979年 | 19篇 |
1976年 | 3篇 |
1966年 | 3篇 |
1964年 | 3篇 |
1959年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 312 毫秒
1.
以智能反射面(intelligent reflecting surface,IRS)辅助的无线携能通信(simultaneous wireless information and power transfer,SWIPT)系统为背景,研究了该系统中基于能效优先的多天线发送端有源波束成形与IRS无源波束成形联合设计与优化方法。以最大化接收端的最小能效为优化目标,构造在发送端功率、接收端能量阈值、IRS相移等多约束下的非线性优化问题,用交替方向乘子法(alternating direction method of multipliers,ADMM)求解。采用Dinkelbach算法转化目标函数,通过奇异值分解(singular value decomposition,SVD)和半定松弛(semi-definite relaxation,SDR)得到发送端有源波束成形向量。采用SDR得到IRS相移矩阵与反射波束成形向量。结果表明,该系统显著降低了系统能量收集(energy harvesting,EH)接收端的能量阈值。当系统总电路功耗为?15 dBm时,所提方案的用户能效为300 KB/J。当IRS反射阵源数与发送天线数均为最大值时,系统可达最大能效。 相似文献
3.
该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e33增加、刚度 下降,导致Al1-xScxN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al1-xScxN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。 相似文献
4.
在80 MHz~1 GHz频段,单个功率管输出功率能达到100 W以上,为研制输出功率400 W的功率放大器,文中设计了四路功率合成器。该合成器需要实现功率容量大、工作频带宽、体积小的设计目标。在功率容量方面,文中采用悬置带状线结构,其功率容量远远大于微带线结构;在工作频带方面,采用切比雪夫九节阻抗变换器,将工作带宽拓宽为80 MHz~1 GHz;在体积方面,文中合成器的功率合成部分采用Y型节级联实现四路功率合成,阻抗变换部分采用切比雪夫阻抗变换器进行阻抗变换,该结构相较于磁环巴伦功率合成器,不但具有损耗小、平坦度高的优点,而且通过将阻抗变换器设计成曲折的形状,进一步缩小了合成器体积。仿真与实测结果显示该合成器在80 MHz~1 GHz范围内还具有较高的平坦度,合成效率可达90%以上。 相似文献
6.
在无线传感器网络中,大量感知数据汇集到sink节点的采集方法会导致sink节点附近的节点能量耗尽,造成能量空洞。针对该问题,利用移动的sink节点进行数据收集是一种解决方法,其中移动sink的路径规划成为一个重要的问题。提出了一个移动sink路径规划算法,将无线传感器中随机分布的节点划分为不同的子区域,寻找sink节点移动的最佳转向点,最终得到最优的移动路径,以实现无线传感器网络生命周期最大化。仿真实验表明,与现有方案相比,该算法能显著延长网络的生命周期。 相似文献
7.
This minireview describes the strategies for synthesis of fiuorinated surfactants potentially nonbioaccumulable.Various strategies have been focused on(Ⅰ) reducing the length of the perfluorocarbon chain,(Ⅱ) introducing hetero atoms into the fluorocarbon chain,(Ⅲ) introducing branch(herein and after branch means the fluoro-carbon chain section is not straight).In most cases,the surface tensions versus the surfactant concentrations have been assessed.These above strategies led to various highly fiuorinated(perfluorinated or not perfluorinated) surfactants whose chemical changes enabled to obtain novel alternatives to perfluorooctanoic acid(PFOA) and perfluorooctane sulphonate(PFOS). 相似文献
8.
9.
Wang Yingying Wang Donghui Shu Weiqing Sha Jingquan Zhang Haifeng 《Transition Metal Chemistry》2020,45(4):245-251
Transition Metal Chemistry - Two cubane-like complexes, namely [Ni4L4(HOEt)4] (1), [Co4L4(HOEt)4] (2) (H2L?=?(E)-2-((3-hydroxypropylimino)methyl)-6-methoxyphenol), were prepared under... 相似文献
10.
Sha Xia Dan Wang Nian-Ke Chen Dong Han Xian-Bin Li Hong-Bo Sun 《Annalen der Physik》2020,532(3):1900318
Defects play a central role in controlling the electronic properties of two-dimensional (2D) materials and realizing the industrialization of 2D electronics. However, the evaluation of charged defects in 2D materials within first-principles calculation is very challenging and has triggered a recent development of the WLZ (Wang, Li, Zhang) extrapolation method. This method lays the foundation of the theoretical evaluation of energies of charged defects in 2D materials within the first-principles framework. Herein, the vital role of defects for advancing 2D electronics is discussed, followed by an introduction of the fundamentals of the WLZ extrapolation method. The ionization energies (IEs) obtained by this method for defects in various 2D semiconductors are then reviewed and summarized. Finally, the unique defect physics in 2D dimensions including the dielectric environment effects, defect ionization process, and carrier transport mechanism captured with the WLZ extrapolation method are presented. As an efficient and reasonable evaluation of charged defects in 2D materials for nanoelectronics and other emerging applications, this work can be of benefit to the community. 相似文献