首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   854篇
  免费   0篇
  国内免费   3篇
化学   500篇
晶体学   1篇
力学   2篇
数学   8篇
物理学   40篇
无线电   306篇
  2016年   22篇
  2015年   23篇
  2014年   52篇
  2013年   32篇
  2012年   130篇
  2011年   91篇
  2010年   94篇
  2009年   85篇
  2008年   77篇
  2007年   46篇
  2006年   54篇
  2005年   58篇
  2004年   42篇
  2003年   42篇
  2002年   2篇
  2001年   1篇
  1998年   2篇
  1997年   1篇
  1996年   2篇
  1993年   1篇
排序方式: 共有857条查询结果,搜索用时 437 毫秒
1.
应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大  相似文献   
2.
The patterning of contact holes by selecting out-of-focus image plane (defocus) using attenuated phase shift masks (APSM) has been studied. Defocus is found to enhance the image modulation at low partial coherence for contact holes with negative local average of mask function. Semi-dense holes up to 130 nm in 8% APSM have been printed by 0.5 μm defocus at a partial coherence of 0.31 using KrF scanner with highest numerical aperture of 0.68. However, these holes were closed with in-focus imaging. Defocus is also found to be beneficial for patterning the pitches that have extensive side lobes with in-focus imaging.  相似文献   
3.
4.
5.
6.
一种高精度的CMOS带隙基准电压源   总被引:4,自引:0,他引:4  
设计了一种采用0.25 μm CMOS工艺的高精度带隙基准电压源.该电路结构新颖,性能优异,其温度系数可达3×10-6/℃,电源抑制比可达75 dB.还增加了提高电源抑制比电路、启动电路和省功耗电路,以保证电路工作点正常、性能优良,并使电路的静态功耗较小.  相似文献   
7.
8.
9.
10.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号