贵金属与GaAs(110)界面上费米能级位置的测定

本文报道了用I-I＇法测量在超高真空中n型GaAs(110)解理面上制备的Cu、Ag、Au二极管的肖特基势垒高度,以及用同步辐射的软X射线光电子谱测定的Cu在n型GaAs(110)上界面费米能级的位置.两种方法的结果符合得很好.贵金属在n型GaAs(110)上界面费米能级的位置处于导带以下0.9±0.05eV处,相当于同样数值的势垒高度,并与缺陷模型中的施主能级的位置相对应.     

改进相干激光器阵列的热沉设计

一种有顶层(其横向尺寸与激光器阵列宽度相配)的热沉将明显改善激光器阵列的温度均匀性,便于器件锁相工作。     

双奇核188Au的准粒子带结构研究

利用在束γ谱学实验技术, 通过¹⁷³Yb(¹⁹F,4nγ)反应 布居了¹⁸⁸Au的高自旋态, 并对其准粒子带结构进行了研究. 基于实验测量结果, 对原有的双奇核¹⁸⁸Au能级纲图做了较大的修改. 通过系统性比较, 对15⁺以上的能级结构进行了讨论.     

ROMBERG方法的改进

本文研究了全部根构成一个等比数列的多项式的性质，并将所得的结果用到数值积分的Ｒｏｍｂｅｒｇ方法＾「１」，得到了相应遥改进。     

15C的中子晕结构研究

实验测量了83A MeV ^14,15C的核反应总截面(σ_R)及¹⁵C产生^14,15C和¹⁴C产生¹³C的动量分布(P_//). 分析得到了¹⁵C产生¹⁴C和¹³C的动量分布半高宽(FWHM)分别为71±9MeV/c和223±28MeV/c, 而¹⁴C产生¹³C的FWHM为195±21MeV/c. 从¹⁵C和¹⁴C产生¹³C的FWHM与Goldhaber模型的预言基本一致. 而¹⁵C产生¹⁴C的FWHM却要比该模型计算小得多. 同时观测到¹⁵C的σ_R比相邻核有反常增加. 在Glauber模型框架中, 对实验测得的P_//和σ_R进行了探讨. P_//和σ_R的分析结果同时显示¹⁵C的最后一个中主要处于s_1/2态, 具有中子晕结构.     

电力电子系统应用的时间域网络解析器的精确度和速度

本文通过比较5个商业软件包的精确度和执行时间，研究了具有固定时间和变换时间的网络仿真方法的性能差异。包含了多个三相二极管整流器和一个PWM电压源逆变器的一系列基准实例显示：对于线性电路来说，固定时间步长法的仿真时间更短一些；然而，为了得到精确的结果，即使对于低开关频率的PWM应用都可能需要非常小的时间步长。否则，如果使用的时间步长过大，即使波形看起来是正确的，PWM逆变器控制信号也可能有严重的错误。     

一种新的亚微米制造技术

已经研制成功一种制作亚微米线宽和器件的新技术。此技术不需要电子束或其它外加的刻蚀技术,而只用常规光刻法和一次边缘选择镀工序。在此工序中,把金属镀到已刻图案的金属层的边缘上。然后,此已镀边缘作为下步等离子腐蚀的掩模,以腐蚀其下层的导体或介质。此技术作出的线宽小至0.04微米,并能用来制造多种微波器件。特别是已用它来制作栅长为0.1微米的镀金铬栅 GaAsMESFET。此法所得 GaAsMESFET 的性能,比得上用比较复杂和花费大的制作栅图案技术制造出来的器件。譬如,在离子注入的 GaAs 上制作的5微米源-漏间距,0.3微米栅长和250微米栅宽的 MESFET,12千兆赫下最大可用增益超过10分贝。     

Palladium-Catalyzed Buchwald-Hartwig Type Amination of Fluorous Arylsulfonates

Palladium-catalyzed cross-coupling reactions of aryl perfluorooctanesulfonates with amines are introduced. Application of the fluorous tag in multistep synthesis of triaryl-substituted pyrimidine is also described.