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1.
离子注入过程中,注入离子在掩模边缘附近的分布决定MOS晶体管漏极区域处的电场强度,计算了70keV硼离子注入硅样品中不同掩模边缘离子密度等线,考虑了四阶矩下的杂质深度分布(无掩模情况)。合理选择掩模蚀刻工艺,可获得均匀性,高抗噪声度的器件中。同时也指出了太薄掩模材料对注入离子分布的影响。 相似文献
2.
１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＩｎｄｅｓｋｔｏｐｖｉｄｅｏｃｏｎｆｅｒｅｎｃｉｎｇｓｙｓｔｅｍｓ，ｔｈｅｒｅａｒｅｔｗｏｋｉｎｄｓｏｆｄａｔａ：ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓｍｅｄｉａｓｔｒｅａｍａｎｄｕｓｅｒ′ｓｄａｔａｔｈａｔｎｅｅｄｔｏｂｅｔｒａｎｓｍｉｔｅ... 相似文献
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6.
Chen Yongnian 《模糊系统与数学》1995,(1)
ＡＮＴＩＦＵＺＺＹＶＥＣＴＯＲＳＰＡＣＥＳ（Ⅱ）ＣｈｅｎＹｏｎｇｎｉａｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｈｅｍａｔｉｃｓ，ＸｉｎｊｉａｎｇＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，８３００５４，Ｘｉｎｊｉａｎｇ，Ｐ．Ｒ．Ｃｈｉｎａ）ＡＮＴＩＦＵＺＺＹＶＥＣＴ... 相似文献
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