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1.
摩托罗拉微控制器(MCU)具有编程语言简单、外围设备齐全、存储器模型用户友好、选择广及供应多、性能价格比高等优点,被设计者评为最容易使用的产品之一。在全球顶级的原始设备制造厂商(OEM)的无数嵌入式系统和用户最终产品中都可找到摩托罗拉的MCU,包括键盘、传呼机、电子游戏机、洗衣机、安全系统及汽车等。 相似文献
2.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K. 相似文献
3.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.
关键词:
非弹性中子散射
填充式方钴矿
近藤绝缘体 相似文献
4.
Acetophenone oxime and benzaldehyde oxime were converted to oxime ethers in the presence of alkyl halide or methyl sulfate and KOH in aqueous DMSO in 5 to 70 min. The yields of oxime ethers were 70-96%. 相似文献
5.
THE -PROBLEM FOR HOLOMORPHIC (0,2)-FORMS ON PSEUDOCONVEX DOMAINS IN SEPARABLE HILBERT SPACES AND D.F.N. SPACES
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J. LEE K. H. SHON Department of Mathematics Education Andong National University Andong - Korea. Department of Mathematics Pusan National University Pusan - Korea. E-mail: khshon@hyowon.pusan.ac.kr 《数学年刊B辑(英文版)》2002,(1)
51. IntroductionL. H5.m.nd..l3] solved the 0problem by using the L2-estimates for partial differentialoperators in C'.. J. Kajiwara[4] studied infinite dimensional generalizations of the poten-tial kernel. Concerning the 0-problem in infinite dimensional spaces, P. ffeb.i.lll] investi-gated the a-equation for coc (o, 1)-forms in arbitrary pseudoconvex open subsets of separableHilbert spaces without growth condition. J. F. Colombeau and B. Perr.t[l1 showed that aCoc solution u of 0u = w ca… 相似文献
6.
在最近几年,合成了具有极大的光学非线性的有机化合物。它们的非线性至少能与一般的非线性材料如磷酸二氢钾(KDP)或LiNbO_3相比或更大。本文研究中,采用2-甲基4-硝基苯胺(MNA)的薄晶片进行二次谐波产生的实验,MNA是用汽相生长法制备,它的非线性很大,SHG张量的最大分量d_(11)=2.5×10~(-10)m/V,品质因数比LiNbO_3大2000倍,在控温油槽(温度精度±0.1℃)内进行汽相生长。在密封玻璃管中,温度达到120℃,十天内生长出晶体。制出的MNA晶体是类似薄片的透射 相似文献
7.
报道了两类典型元素替代的超导Y123相体系-YBa2(Cu1-xCox)3O7-δ(x=0.01,0.02)和YBa2(Cu1-yZny)3O7-δ(y=0.005,0.010)薄膜的电阻率-温度特性(ρ(T))和Hall效应(RH (T)).研究表明,Co掺杂的Y123相体系十分类似于氧欠掺杂的情况,对Co掺杂的薄膜样品,由电阻率-温度特性定义的赝能隙打开的温度T*分别为193和225K.而Zn掺杂的样品没有观察到赝能隙打开对电阻率-温度特性的影响.由Hall效应的测量和Hall角(cotθH)定义了另一个特征温度T 0,介于Tc与T*之间,这一特征温度与核磁共振(NMR)给出的赝能隙打开温度相近,说明可能源于电子自旋自由度上的能隙打开.在室温到Tc范围内,电阻率-温度特性和Hall效应分别定义了两类不同的转变温度(T*和T 0),可能分别源于电子电荷和自旋通道上的赝能隙的打开,预示着电荷和自旋自由度分别进入某种基态. 相似文献
8.
离子注入过程中,注入离子在掩模边缘附近的分布决定MOS晶体管漏极区域处的电场强度,计算了70keV硼离子注入硅样品中不同掩模边缘离子密度等线,考虑了四阶矩下的杂质深度分布(无掩模情况)。合理选择掩模蚀刻工艺,可获得均匀性,高抗噪声度的器件中。同时也指出了太薄掩模材料对注入离子分布的影响。 相似文献
9.
设计并制作出一种有新型保护结构的平面InP/InGaAs雪崩光电二极管。该器件在P-n结下面有一被隐埋的n-InP层和n~--InP倍增区,这样便获得了良好的保护作用。器件的整个有源区均呈现均匀倍增,最大倍增因子为30,在击穿电压的90%处获得了大约20nA的低暗电流,平坦的频率响应高达1GHz。在倍增因子达到17时测试了倍增噪声。 相似文献
10.
王友宝 P. Dendooven J. Huikari A. Jokinen V. S. Kolhinen G. Lhersonneau A. Nieminen S. Nummela H. Penttila K. Perajarvi S. Rinta-Antila J. Szerypo J. C. Wang J.Aysto 《中国物理快报》2006,23(4):808-811
We investigate the β decay of very neutron-rich ^118Rh isotope using on-line mass-separated sources which are produced by applying 25 MeV proton induced symmetric fission of natural uranium at the IGISOL facility. The β-γ and γ-γ coincidence spectroscopy is employed to establish the level scheme of daughter nucleus ^118Pd. Five low-lying new levels are identified for the first time with tentative spin and parity assignments based on the even-mass Pd systematics. 相似文献