首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   64000篇
  免费   1756篇
  国内免费   2986篇
化学   39496篇
晶体学   47篇
力学   1403篇
综合类   49篇
数学   2430篇
物理学   17717篇
无线电   7600篇
  2023年   194篇
  2022年   213篇
  2021年   184篇
  2020年   169篇
  2019年   141篇
  2018年   196篇
  2017年   141篇
  2016年   252篇
  2015年   284篇
  2014年   472篇
  2013年   400篇
  2012年   5026篇
  2011年   7016篇
  2010年   1407篇
  2009年   569篇
  2008年   5052篇
  2007年   5221篇
  2006年   5522篇
  2005年   5430篇
  2004年   4332篇
  2003年   3236篇
  2002年   2955篇
  2001年   2329篇
  2000年   2445篇
  1999年   1047篇
  1998年   472篇
  1997年   393篇
  1996年   996篇
  1995年   865篇
  1994年   925篇
  1993年   1146篇
  1992年   1044篇
  1991年   517篇
  1990年   594篇
  1989年   604篇
  1988年   588篇
  1987年   670篇
  1986年   648篇
  1985年   808篇
  1984年   549篇
  1983年   434篇
  1982年   392篇
  1981年   352篇
  1980年   261篇
  1979年   163篇
  1975年   210篇
  1974年   120篇
  1958年   165篇
  1957年   123篇
  1956年   143篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
We revisit the Simha-Somcynsky model of polymer fluids with the purpose of developing novel theoretical and computational approaches to simplify and speed up its solution as well as the fitting of experimental data, and decrease its level of mathematical complexity. We report a novel method that allows us to solve one of the two equations of the model exactly, thus putting the level of mathematical difficulty on a par with the one of other models for polymer fluids. Moreover, we describe a computational algorithm capable of fitting all five parameters of the model in an unbiased way. The results obtained reproduce literature results and fit experimental pressure-volume-temperature and solubility parameter data for three polymers very accurately. Moreover, the new techniques allow for the investigation of the model at very low temperatures. Unexpectedly, the model predicts behaviors that could be interpreted as a glass transition, as routinely observed in dilatometry and differential scanning calorimetry, and a glass phase. We compared the predicted and experimental T g’s for cis poly(1,4-butadiene) and found an excellent quantitative agreement.  相似文献   
2.
1 IntroductionMaterialswithPhotonicBandGaps (PBG’s)havebeenwidelystudiedboththeoreticallyandex perimentallyinthepastfew years[1~ 4] .Theexis tenceofgaps,which prohibitthepropagationofelectromagnetic (EM )wavesinacertainrangeoffrequencies,canhavesignificantimpactsbothinsci enceandtechnology .Manypracticalapplicationsofthesestructureshavebeensuggestedanddemon strated ,suchasPhotonicCrystal (PC)microcavi ties[5] ,infraredPC[6] ,PClens[7] ,suppressingspontaneousemission ,manipulatinglight…  相似文献   
3.
形状记忆合金由于其优良的超弹性和形状记忆效应而在医学上有着广泛的应用,其中由于NiTi形状记忆合金相较其它形状记忆合金具有更好的超弹性和生物相容性而得到了广泛的应用。但由于镍元素的毒性,使得开发一种生物相容性更好、无镍且具有良好力学性能的形状记忆合金成为必需。Ti-Mo-V-Nb-Al五元合金就是为此而开发的一种新型形状记忆合金。本研究用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨电子显微镜(HREM)研究了不同热处理条件对Ti-Mo-V-Nb-Al形状记忆合金微观结构的影响。  相似文献   
4.
2006年6月7日,以"创新科技,超越未来"为主题的"2006英特尔中国研究论坛"在北京召开.来自国内一流高校的600多位博士及硕士研究生,与英特尔公司的多位院士、高级科学家以及国内著名专家济济一堂,在浓郁的学术氛围中,共同交流IT业界前沿核心技术的研究进展.英特尔资深院士兼通信技术实验室总监Kevin Kahn博士展示了公司在无线通信领域的最新研发进展,包括英特尔在单一平台上支持更多无线通信数量所进行的技术和行业标准开发.  相似文献   
5.
6.
一种命名为Carley的创新型全数字LCoS技术有望使价格低廉、品种繁多且易于扩缩的反射器件在市场上大行其道,这些器件将造就分辨率达1080p的低成本、宽屏高清晰度电视(HDTV)。  相似文献   
7.
This paper studies the nonautonomous nonlinear system of difference equationsΔx(n)=A(n)x(n)+f(n,x(n)),n∈Z,(*) where x(n)∈R~N,A(n)=(a_(ij)(n))N×N is an N×N matrix,with a-(ij)∈C(R,R) for i,j= 1,2,3,...,N,and f=(f_1,f_2,...,f_N)~T∈C(R×R~N,R~N),satisfying A(t+ω)=A(t),f(t+ω,z)=f(t,z) for any t∈R,(t,z)∈R×R~N andωis a positive integer.Sufficient conditions for the existence ofω-periodic solutions to equations (*) are obtained.  相似文献   
8.
9.
一种精微的3D钨光电晶体点阵(TPCL)已经由Sandia国家实验室开发出来,并且试验证明了可以将白炽灯泡浪费的大多数红外能量(热能)转换为可见光的频率。该方法使用标准的MEMS改进技术,并且TPCL技术可以将目前灯泡的发光效率从5%提高到60%以上。  相似文献   
10.
本文报道了用I-I'法测量在超高真空中n型GaAs(110)解理面上制备的Cu、Ag、Au二极管的肖特基势垒高度,以及用同步辐射的软X射线光电子谱测定的Cu在n型GaAs(110)上界面费米能级的位置.两种方法的结果符合得很好.贵金属在n型GaAs(110)上界面费米能级的位置处于导带以下0.9±0.05eV处,相当于同样数值的势垒高度,并与缺陷模型中的施主能级的位置相对应.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号