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1.
L.V.Zhukova D.D.Salimgareev A.E.Lvov A.A.Yuzhakova A.S.Korsakov D.A.Belousov K.V.Lipustin V.M.Kondrashin 《中国光学快报(英文版)》2021,(2):51-56
The article is devoted to the technology for obtaining optical ceramics of Ag Br-Tl I and Ag Br-Tl Br0.46I0.54 systems and manufacturing samples with different compositions.The new heterophase crystal ceramics are transparent without absorption windows in the spectral range from 1.0 to 60.0μm.In the ceramics’transparency spectra based on the Ag Br-Tl I and Ag Br-Tl Br0.46I0.54 systems fusibility diagrams,with an increase in the thallium halides mass fraction,as well as the replacement of the bromine ion with iodine,the maximum transparency shifts to a long infrared region. 相似文献
2.
Marks L D Ciston J Deng B Rondinelli J 《电子显微学报》2006,25(B08):1-2
Many areas of structure analysis have focused on finding the locations of the atoms. If, instead of the atoms, we knew the positions of the electrons we would in fact know much more, and in most respects knowing where the nuclei are is not important. There is a long history of measurements using precise electron diffraction or X-ray diffraction of the average charge density in materials, but extending beyond to local charge density is, as yet, an unexplored area. 相似文献
3.
为了给程序设计作下基础,本文首先介绍了TI公司的TMS320VC5402和AIC(模拟接口电路)芯片TLC320AD50C的特点,最后着重介绍了利用DSK板上的TMS320C5402和TLC320AD50C实现音频采集并实时回放的软件设计过程,并利用CCS进行了模拟. 相似文献
4.
ON A PAIR OF NON-ISOMETRIC ISOSPECTRAL DOMAINS WITH FRACTAL BOUNDARIES AND THE WEYL-BERRY CONJECTURE
ONAPAIROFNONISOMETRICISOSPECTRALDOMAINSWITHFRACTALBOUNDARIESANDTHEWEYLBERRYCONJECTURESLEEMAN,B.D.CHENHUAManuscriptrec... 相似文献
5.
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1 亚洲最高规格的通信盛会 2002年12月,当中国内地大部分地区已经进入了隆冬季节的时候,位于维多利亚港湾畔的香港仍然是一派暖意,以“源动亚洲,创新思维” 相似文献
9.
离子注入过程中,注入离子在掩模边缘附近的分布决定MOS晶体管漏极区域处的电场强度,计算了70keV硼离子注入硅样品中不同掩模边缘离子密度等线,考虑了四阶矩下的杂质深度分布(无掩模情况)。合理选择掩模蚀刻工艺,可获得均匀性,高抗噪声度的器件中。同时也指出了太薄掩模材料对注入离子分布的影响。 相似文献
10.
利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量. 相似文献