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1.
王振超  柳稼航  盛庆红  吴昀昭 《红外与激光工程》2020,49(5):20190460-20190460-5
月球表面没有大气层的保护,岩石矿物长期在太空风化的作用下,逐渐演化为月壤。太空风化过程是月壤产生、成熟的过程,由于物质形态结构的改变,导致月表光谱特征产生变化。因而,作为风化产物的月壤的光谱特性,包含了月表的太空风化信息。月壤成熟度,是描述太空风化程度的重要指标,利用高光谱遥感数据进行亚微观铁(SMFe)的反演进而获取月壤成熟度,是目前研究月表太空风化的主要手段。原位探测数据,由于没有受到其他因素的干扰,获得的反演结果相对更加准确、可靠。我国嫦娥四号(CE-4)玉兔二号巡视器搭载了能直接获取月表原位高光谱数据(450~2395 nm)的科学载荷红外成像光谱仪,为研究月表的太空风化提供了很好的机会。选取了CE-4卫星着陆器登陆点附近的两处光谱数据,采用Hapke模型和光谱角匹配法对CE-4卫星登陆点附近月壤的SMFe进行了反演。根据Morris模型和FeO含量进一步反演CE-4卫星登陆点附近月壤的成熟度。结果表明,该处月壤成熟度为11.5,较大概率为不成熟月壤。  相似文献   
2.
1 引言无线资源管理是对移动通信系统的空中接口资源的规划和调度,涉及到一系列与无线资源分配有关的内容。对TD-SCDMA系统以及终端设备来说,可靠和高效的无线资源管理策略和方法是提高系统性能和容量的重要保证。本文针对TD-SCDMA终端无线资源管理测试的几个主要方面进行介绍,包括空闲模式进程、连接模式下的移  相似文献   
3.
放音系统中前级放大器的重要作用是众所周知的。一般合并式功率放大器输入端的电压放大级,又称前置放大级,此级的位置虽然很重要,但在合并式放大器中,设计者往往注意力多集中到功率放大级上,而前置电压放大级就显得不重要了,所以对前置放大级的投入也较少。并且,因功放级的影响,B 电压也不够稳定(有  相似文献   
4.
岁末年终是梳理过去和展望未来的最佳时候。2006年12月2日,当2006年即将接近尾声的时候,由中国电信和艾默生合作举办的“2007中国电信·艾默生动力网新技术研讨会”在深圳成功召开。本次会议旨在面向电源行业未来的热点问题,探索电源发展的新趋势和新动向,助力中国电信提高运营效率,提升核心竞争力,强化竞争优势。来自中国电信集团及各分公司、信息产业部电信研究院、中国电信各规划设计院、艾默生公司的电源专家出席了本次会议,各位专家共聚一堂,畅所欲言,在气氛热烈的讨论中,电源行业发展趋势渐次清晰。而在参观完艾默生公司经国家论证的…  相似文献   
5.
Many areas of structure analysis have focused on finding the locations of the atoms. If, instead of the atoms, we knew the positions of the electrons we would in fact know much more, and in most respects knowing where the nuclei are is not important. There is a long history of measurements using precise electron diffraction or X-ray diffraction of the average charge density in materials, but extending beyond to local charge density is, as yet, an unexplored area.  相似文献   
6.
HgCdTe红外探测器件是目前研究和使用的主要探测器件之一,pn结构是它的基本功能单元和提高性能的关键之一,由其列阵构成的焦平面是HgCdTe红外探测器件发展的重要方向。因此迫切需要一种方便可行的无损检测方法可以实现对焦平面列阵的在线信息反馈以及针对pn功能结构进行深入研究。激光束诱导电流(LBIC)即是一种以激光为  相似文献   
7.
刘杰明  李志能 《电子器件》1994,17(3):105-109
真空微电子荧光平板显示器件的实验研究刘杰明,李志能,陈秀峰(浙江大学信息与电子工程学系)关键词:真空微电子,反应离子刻蚀一、引言近十年来,随着真空微电子学的崛起,利用微细加工技术,使真空元器件集成化和高性能化已成为可能,一种新型场致发射阵列真空荧光平...  相似文献   
8.
ONAPAIROFNONISOMETRICISOSPECTRALDOMAINSWITHFRACTALBOUNDARIESANDTHEWEYLBERRYCONJECTURESLEEMAN,B.D.CHENHUAManuscriptrec...  相似文献   
9.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
王纪民  蒋志 《微电子学》1997,27(2):121-124
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。  相似文献   
10.
对于相对场相互作用系统〔‘l口切=F(切,吵,刀p,D必口砂=G(切,劝,刀甲,D妇t二0:(甲,叻)“(蜜:,舀2),(沪‘,功.)二(叮:,斤2)声..t‘苦.t 、产 ︸l 了、其中场变量伽,初为(t,x)任R+xR”的未知函数,F、G、古:、条、粉:、刀:为已知函数,口=a‘一△,D=(J.,a二:,…,a二。),有 定理若存在常数v。>o,使当1入】(v。时,)F{二o(囚’‘,),【Gl=o(囚.”),入==(入。,入:,…,入。,#。,拼,,…,拼,),F、G〔C’(R,,+舍),且八>2(a+1)la,a》z,对于任何正整数50>。/2(a+i)+i及s》〔an/(a+1)〕+s。+1,存在d>o,E>o,使当君:、么〔H,+’(R”)门研.+’,,“+”…  相似文献   
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