CoSi_2中As~+和BF_2~+注入杂质再分布形成硅化物化浅结性能研究

向CoSi_2膜中分别注入As~+和BF_2~+杂质,以这种掺杂硅化物作为扩散源,用快速热处理使注入杂质再分布至CoSi_2下面的硅衬底中,能制作出结深为0.12μm的硅化物化N~+-P和 P~+-N浅结.本文研究了所制作的浅结性能,井从注入杂质在 COSi_3/Si系统中的再分布行为,讨论了浅结形成机理.     

光刻技术在多芯片模块（MCM）和高密度互连（HDI）工艺中的应用

一、引言 多芯片模块和高密度互连技术是近年来开发的新工艺、新技术。它的应用将电子技术提到了一个新的台阶。集成电路是将众多的单个器件集成在同一个芯片上,多芯片模块则是将众多的芯片集成在同一个基板上,它是集成电路的再集成。应用这种技术,新一代的电子产品将体积更小、重量更轻、性能更可靠。由于这种技术缩短了芯片和芯片之间导线的长度,所以信息处理的速度将更快。它的应用将推动电子工业的飞速发展,同时将带动其它相关工业的进步。那么什么是多芯片模块和高密度互连技术呢?这项技术对传统的半导体工艺,特别是对光刻工艺提出了什么不同的要求呢?这些问题又是如何解决的呢?本文将试着对这些问题做一回答。     

一个外资设备厂商在国内遇到的挑战及应答

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