锑化铟光伏器件温度特性分析

锑化铟光伏器件一般工作在７７Ｋ。本文介绍采用金属变温杜瓦瓶在不同温度下测试了锑化铟光伏器件的光电特性，其结果显示出锑化铟光伏器件在高于７７Ｋ一段温度范围内也能满足工作需要，因此为锑化铟制冷探测器的设计提供了一定的依据。     

InSb光伏器件的温度特性分析

ＩｎＳｂ光伏器件的温度特性分析龚启兵（航空工业总公司第Ｏ一四中心洛阳４７１００９）锑化铟光伏器件一般工作在７７Ｋ，且性能随着温度的变化而变化。在一定的温度范围内，载流于浓度是一定的，器件能稳定工作；但随着温度的升高，本征载流子浓度迅速增加，温度足够高...     

InSb凝视红外焦平面组件研制和应用

研制成功了采用光伏InSb二极管列阵工艺、直接注入Si CMOS读出电路、微型玻璃杜瓦和微型节流制冷机的 6 4× 6 4元InSb红外焦平面组件。焦平面组件平均探测率约 1× 10 11cmHz1 2 W-1,平均量子效率约 72 %,响应率非均匀性约 18%,无效像元率约 0 .5 %。其性能参数满足红外成像制导的技术要求 ,已成功进行了凝视红外成像探测系统外场试验。     

锑化铟表面硫化处理

本文介绍了利用ＡＥＳ、ＸＰＳ和Ｃ－Ｖ法对经过硫化物处理后的ＩｎＳｂ表面进行研究，其结果显示硫在ＩｎＳｂ表面替代锑或填补锑的空白与铟形成共价健，从而减少了ＩｎＳｂ与氧化层之间的表面态。     

混成式焦平面阵列芯片倒装互连技术研究

介绍了为保证倒装焊接性能,设备所采取的措施。对比了不同形貌铟柱的优缺点,分析了互连可靠性与铟柱高度的关系,介绍了考核互连可靠性的方法。通过互连技术研究,我们实现了较高性能的倒装互连,互连条件选择温度在60℃-140℃范围,压力范围0．1克／铟柱-0．5克／铟柱。互连连通率〉99．9％,互连后的芯片组件在低温（77K）与常温（23℃）间不少于100次的反复冲击的情况下,测试接触性能及InSb二极管性能都无变化,满足了互连器件可靠性要求。     

锑化铟光伏器件温度特性分析

锑化铟光伏器件一般工作在７７Ｋ。本文介绍采用金属变温杜瓦瓶在不同温度下测试了锑化铟光伏器件的光电特性，其结果显示出锑化铟光伏器件在高于７７Ｋ一段温度范围内也能满足工作需要，因此为锑化铟制冷探测器的设计提供了一定的依据。