用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了微波的有效介质损耗.通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线(CPW)的微波特性.     

高电容比射频/微波MEMS膜开关的理论分析和数值模拟

建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型，由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因素对电容比的影响，因而能较为正确地反映开关的电容特性。用数值方法计算了影响开关电容比的因素，并对计算结果进行了分析和讨论。提出了使用脉冲电压作为偏置电压可以使介质膜gj的厚度减少到50nm，从而使开关的电容比增加到3800。最后，讨论了实现高电容比MEMS膜开关的可行性。     

多孔硅薄膜的纵向均匀性及其光学特性研究

多孔硅样品使用脉冲电化学腐蚀法经过不同的腐蚀时间制备完成,使用反射光谱、光致发光光谱和SEM对多孔硅薄膜的纵向均匀性以及其光学特性进行了研究,还详细研究了随腐蚀深度变化的折射率和光学厚度(n*d)等光学参数。实验表明：随着腐蚀深度的增加,多孔硅薄膜的平均折射率n降低,即多孔度变大;多孔硅薄膜的光学厚度的形成速度减小;同时,反射光谱表现更弱的干涉性,表明薄膜的均匀性和界面的平整性变差;另外,光致发光谱的强度微弱变强。     

温度：影响多孔硅光学特性的一个关键参数

The optical properties of porous silicon（PS） samples fabricated by pulse etching in a temperature range from-40 to 50-C have been investigated using reflectance spectroscopy,photoluminescence spectroscopy,and scanning electron microscopy（SEM）.The dependence of the optical parameters,such as the refractive index n and the optical thickness（nd） of PS samples,on the etching temperature has been analyzed in detail.As the etching temperature decreases,n decreases,indicating a higher porosity,and the physical thickness of PS samples also decreases.Meanwhile,the reflectance spectra exhibit a more intense interference band and the interfaces are smoother.In addition,the intensity of the PL emission spectra is dramatically increased.     

聚(2-甲氧基-5-壬氧基)对苯乙炔的合成及其电致发光性质

以对甲氧基苯酚和溴代正壬烷为原料,通过醚化、氯甲基化和脱氯化氢反应得到可溶性的聚（２－甲氧基－５－壬氧基）对苯乙炔,以其为发光层装配了聚合物单层电致发光器件,研究了它的电致发光和光致发光性质;电致发光器件具有良好的稳定性,其起亮电压为７Ｖ。聚合物的结构由ＩＲ、＾１Ｈ－ＮＭＲ及ＵＶ／Ｖｉｓ光谱得到确认。     

扫描电镜用于人工蛋白石模板中填充InP的形貌研究

扫描电子显微镜是对人工欧泊光子晶体进行形貌观察、研究的重要手段.本文利用扫描电子显微镜对人工欧泊晶体及其填充InP后的形貌进行了分析.结果发现,二氧化硅微球短程有序而在较大的区域则出现台阶、空位和失配等缺陷;在选定生长条件下,InP在SiO2球空隙间具有较高的填充率和较好的结晶质量.此项研究为制备三维InP光子晶体提供了科学依据.     

亚微米微球三维有序阵列的组装技术研究

以硅酸乙酯为原料在乙醇-氨介质中制备了单分散性良好的亚微米级二氧化硅微球,采用电泳辅助沉降技术实现了二氧化硅微球三维有序阵列的组装,获得了规整度较高的二氧化硅微球面心立方阵列,并与其他组装方法的特点和适用范围进行了比较,为不同粒径(从微米至亚微米范围)胶体微球的有序结构的严格控制奠定了实验基础.     

共轭聚合物电致发光器件

采用脱氯化氢法合成出可溶性的共轭聚合物－ 聚（２ － 甲氧基－ ５ － 癸氧基） 对苯乙炔（ Ｐ Ｍ Ｏ Ｄ Ｏ Ｐ Ｖ） ,以 Ｐ Ｍ Ｏ Ｄ Ｏ Ｐ Ｖ 为发光层制备了单层电致发光器件,研究了器件的发光特性。器件的启亮电压为５ Ｖ ,发光峰位为５６０ ｎ ｍ     

刚性-柔性嵌段共聚物PPQ-b-PEG在选择性溶剂中自组装制备单分散性聚合物微球

刚性-柔性嵌段共聚物聚苯基喹啉-b-聚乙二醇(PPQ-b-PEG)在选择性溶剂中具有自组装行为. 该共聚物在V (三氟乙酸, TFA)︰V (二氯甲烷, DCM) = 1︰1的混合溶剂中能够自组装成直径为几个微米的聚合物空心球. 空心球尺寸随着PPQ聚合度的增大而增大, 具有单分散性, 溶液浓度对球径没有影响, 浓度过低时, 球的表面出现毛刺. 同时所形成稀溶液的最大吸收波长为378 nm, 最大发射波长为605 nm.     

用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了微波的有效介质损耗.通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线(CPW)的微波特性.