军用内调式四象限精密乘法器电路的设计

介绍内调式四象限精密乘法器电路的线路设计、版图设计、工艺设计及关键技术。着重介绍线路设计和版图设计的特点及四象限乘法器的功能。     

基于第四层交换技术的负载均衡

本文介绍了第四层交换技术的概念,技术原理以及如何使用第四层交换技术实现远程教育系统中的应用服务器负载均衡。     

Characterizations of Tb:Zn2SiO4 films on silicon wafer prepared by sol-gel dip-coating and solid-phase reaction

Terbium-doped Zn_2SiO_4 films were successfully prepared on Si wafers by a simple sol-gel dip-coating and solid-phase reaction method of ZnO and SiO_2. X-ray diffraction (XRD) and UV－Vis absorption results revealed that films processed below 850℃ were ZnO in wurzite structure, and films processed above 850℃ were Zn_2SiO_4 in wellimite structure. Photoluminescence measurements of the Tb-doped Zn_2SiO_4 films showed two strong emission bands at 490 and 545nm. The photoluminescence lifetime was 4.6ms.     

遇见另一种GPS——最时尚车载导航系统连连看

说到车载GPS，你如果仍认为只是那块行车导航用的地图屏幕，那你的脑袋该Update了。现在USB外接影像、语音控制、测控酒精浓度、数字电视、汽车防盗、记录车祸日志等功能都被集成到那块屏幕里了。这一期，我们就要带你去遇见另一种车载GPS……     

巧用PowerBuilder编程整理表结构文档

使用PowerBuilder开发应用程序的人可能都有这样的体会:当一个项目开发完成之后,文档的整理是项工作量很大的任务。其中,表结构的整理就颇为费事。当初设计的表结构很可能在项目进展过程中有所修改或补充,由于开发人员的、有时甚至还有用户的各种各样的原因,经常造成程序和文档不能同步修改,产     

p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征

采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 ,并随In含量的增加而增加     

C60的发现,制备,结构,性质及其潜在应用前景

Ｃ６０是碳的一种新的同素异型结构．本文综述了Ｃ６０的发现与制备方法，Ｃ６０形成的机制与其绪构特征，以及Ｃ６０的性质与其潜在的广阔应用前景．重点介绍用红外（ＩＲ）谱，１３Ｃ核磁共振（ＮＭＲ）谱和Ｘ射线衍射（ＸＤ）谱研究Ｃ６０结构的结果，及掺杂Ｃ６０固体的高温超导电性及其结构的最新研究进展．     

一种性能良好的高锰酸根离子选择电极

在异源四倍体棉种中现已鉴定出２２个芽黄突变体、２６个芽黄基因，其中Ｖ１与Ｖ７、Ｖ２之间存在着部分同源关系。重叠牙黄基因Ｖ１６Ｖ１７的遗传主式独特，单体１测验的分离世代Ｆ２和ＢＣ恢复产生了黄化的单体株。鉴于杂中子生产现状，俄系统阐述了以芽黄作为指示性进行棉花杂种优势利用的可行性。     

硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

本文用Ｘ光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态，发现两者均不是单一的ＳｉＯ２，硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态，即Ｓｉ＋１，Ｓｉ＋２，Ｓｉ＋３和Ｓｉ＋４，它们相对于体Ｓｉ２ｐ，峰的化学位移分别为０．８５，２．３５，３．５５和４．６０ｅＶ．在硅的初期氧化阶段无Ｓｉ＋４成分出现．