耦合微带线间串扰问题的FDTD法分析

在模拟和数字电路中,耦合微带线间的串扰会降低设备的性能。为了降低线间串扰,在攻击线两边各插入了一列用金属填充的、顶端用微带连接的接地孔。利用FDTD方法对该结构进行模拟,给出了接地孔的有效放置方法。     

射频微波晶体管的发展现状及分析

对当前各种类型射频微波晶体管的结构特点、性能和应用情况进行了分析和综述.对晶体管的发展历史进行了全面而细致的回顾,指明了今后射频微波晶体管的发展特点和发展趋势,得出了射频微波晶体管的选型原则.     

基于矩量法的印刷电路板的辐射分析

利用结合二级离散复镜像的矩量法,分析印刷电路板上微带线的电磁辐射问题.应用复镜像理论,详细地推导了微带线结构的闭式空域格林函数和计算公式.针对不同长度和不同端接负载的两平行微带线,进行了辐射研究.仿真结果表明,谐振长度的开路耦合线,产生的辐射功率大;端接匹配负载的耦合线,产生的辐射功率小.为此在高频数字电路设计中,必须确保线长不与谐振长度接近,终端均阻抗匹配.     

降低有损耦合微带线间串扰的方法分析

为降低和控制有损耦合微带线间的串扰,在强信号线两边各插入了一列用金属填充的、顶端用微带连接的接地孔.利用FDTD方法对该结构进行模拟并利用FEM法进行了验证.模拟结果表明串扰衰减程度与基底介质的损耗、接地孔参数有关.     

RF MEMS器件驱动机制理论与分析

介绍了驱动机制在RF MEMS器件制作中所处的地位。以悬梁类型的RF MEMS开关为例,介绍了RF MEMS器件的各种驱动方式,给出了其原理结构图;详细分析了静电驱动、压电驱动、热驱动和磁驱动的原理。对各种驱动机制进行了比较和分析,得出应根据不同场合和不同参数要求,选择不同驱动机制的驱动器。     

对垂直交叉线中串扰的分析

用修正后的传输线方程对垂直的导体间的串扰进行了频域模拟，通过反傅立叶变换得到时域信号。模拟表明，虽然垂直放置可使串扰幅度大幅度降低，但交叉线中仍有较强的干扰，串扰幅度与各端接入的负载有很大关系，对干扰的原因进行分析。为了证明结果的正确性，对平行导体间的串扰用时域有限差分法和本方法进行模拟，得到一致的结果。该文对实际应用有参考价值。     

一种基于有耗传输线的动态Smith圆图

基于微波有耗传输线的基本模型,提出了一种针对实际传输线的动态Smith圆图;给出了该圆图详细的推导过程,并通过Matlab对该动态圆图进行了仿真;详细分析了该圆图的特点。该动态圆图完整地包含了阻抗和导纳两个部分,方便于解决微电子中的射频设计问题。     

一种有效的基于宽带功率放大器强记忆效应特性的PMEC预失真方法

针对宽带功率放大器的强记忆效应特性,论文提出了一种新的预失真方法PMEC (Parallel MP-EMP-CIMT),该方法基于记忆多项式(MP),包络记忆多项式(EMP)及记忆时刻信号交叉项(CIMT)3个基函数构造预失真器。与传统混合记忆多项式(HME)方法相比,PMEC方法增加了记忆时刻信号间的交叉相乘项,此外,为了解决系统复杂度高的问题,对EMP子预失真器进行了简化并截断了CIMT子预失真器的高阶非线性项。实际测试结果表明,PMEC方法比MP方法和HME方法能带来更好的线性化效果,与MP方法相比,PMEC方法将输出信号的三阶邻信道功率比(ACPR)降低了1.07 dB/1.32 dB,预失真系数量节省了18.75%;与HME方法相比,PMEC方法利用79.59%的预失真系数将输出信号的三阶ACPR降低了0.2 dB/0.99 dB。     

降低连接器内电磁干扰的方法分析

基于对任一接插件的干扰只来自最邻近接插件的假设,对连接器内部的电磁干扰建模,模型内接插件间的互耦电容用矩量法进行计算,根据模型的特点采用三角函数做匹配函数简化了计算过程并提高了计算精度.求出敏感接插件周围的接插件全部为信号线时的单位长度参数,不同状态的实现只需通过负载的调节即可,使对不同连接的模拟变得简单易行.对什么时候会在敏感件上产生最大和最小的干扰,以及周围信号的多少对干扰的影响都进行了讨论,以S参数和时域波形的形式给出模拟结果.模拟对正确地连接接插件,降低相互干扰有参考价值.     

PCB上两平行微带线的串扰分析

串扰是印制电路板信号完整性设计中的一个重要课题.文中采用基于有限元法(FEM)的电磁仿真软件,从电磁场的角度,研究分析了PCB上两平行微带线在不同的频率、并行长度、相隔距离、参考层高度情况下的串扰问题,根据仿真结果,总结了串扰强度随微带线的并行长度、相隔距离、离参考层的高度而变化的一般性规律,提出了抑制串扰的PCB设计方法.