Optical properties of Eu3＋, Dy3＋ co-doped ZnO nanocrystals

ZnO nanocrystals doped with trivalent europium ions （Eu3＋） and dysprosium ions （Dy3＋） were synthesized by the pre- cipitation method. The structural and optical properties of the samples are investigated by the X-ray diffraction （XRD） and photoluminescence （PL）. The results show that rare earth ions are incorporated into the lattice of ZnO, and the combination of blue, green and red emissions can be obtained. Specially, the emission can be obtained even under the nonresonant excitation of 320 nm, which is explained based on the energy transfer. The concentration quenching mechanism is also presented in this paper.     

氧化铁镍薄膜的制备与表征

首先提出射频反应磁控溅射中薄膜沉积速率同O2流量和溅射功率关系的理论计算模型;其次根据这一理论计算模型,在O2/Ar气氛中,利用射频反应磁控溅射制备氧化铁镍薄膜;最后分别采用台阶仪、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、电子扫描镜(SEM)和电化学工作站对薄膜进行了表征,并分析了在制备过程中O2含量、工作压强和溅射功率对薄膜的沉积速率、结构、组分和表面形貌的影响.实验验证了所提出的理论计算模型以及Ni3 的存在;得到了膜厚与晶型以及工作压强与形貌的关系;电化学测试结果为:在电流密度为8 mA/cm2时的过电势为284 mV.     

NPB/Alq3有机量子阱光电特性研究

利用热蒸发的方法制备了有机量子阱发光器件和Alq3单层发光器件,其中NPB(N,N′-Di-[(lnaphthalenyl)-N,N′-diphenyl]-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine)作垒层,Alq3(Tris-(8-quinolinolato) aluminum)作阱层,量子阱结构类似于无机半导体的Ⅱ型量子阱结构.实验发现有机量子阱发光器件结构中存在垒层向阱层的F(o)rster无辐射共振能量转移,具有良好的电流-电压特性,光谱的窄化及蓝移,并且光谱的蓝移程度随电压的增大而逐渐增强.     

ZnO纳米棒的低温溶液法制备、光电特性研究及其在有机/无机复合电致发光中的应用

利用水热法制备了垂直于衬底的定向生长的ZnO纳米棒,利用扫描电子显微镜及光致发光的方法对其形貌及光学特性进行了表征,利用场发射性能测试装置对ZnO纳米棒的场发射性能进行了测试.结果表明:利用水热法在较低的温度(95 ℃) 下生长了具有较好形貌和结构的ZnO纳米棒,并表现出了较好的场发射特性,当电流密度为1 μA/cm²时,开启电场是2.8 V/μm,当电场为6.4 V/μm时,电流密度可以达到0.67 mA/cm²,场增强因子为3360.稳定性测试表明,在5 h内,4.5 V/μm的电场下,其波动不超过25%.将制备的ZnO纳米棒应用到有机/无机电致发光中,其中ZnO纳米棒为电子传输层,m-MTDATA(4,4',4″-tris{N,(3-methylphenyl)-N-phenylamino}-triphenylamine) 为空穴传输层,得到了ZnO的342 nm的紫外电致发光,此发光较ZnO纳米棒光致发光的紫外发射有约40 nm的蓝移. 关键词： ZnO纳米棒 场发射 水热法 有机/无机复合电致发光     

稀土配合物红色有机电致发光器件的研究

以TTA为配体合成了新的共掺杂稀土配合物Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy,通过与PVK的掺杂,制备了以PVK:Tb0.5Eu0.5(TTA)3 Dipy为发光层的结构为:ITO/PVK:Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy/BCP/Al的发光器件,在直流电压的驱动下,发现了铕在612 nm处的特征发射,和PVK在410 nm处的发光.此外,还观察到了位于490 nm处的新的发光峰,通过分析研究,认为新的发光来自于稀土配合物的配体和BCP之间相互作用形成的电致激基复合物.用PBD代替了BCP作为电子传输层,制备了结构为:ITO/PVK:Tb0.5Eu0.5(TTA)3DiPy/PBD/Al的发光器件,得到了纯的红色发光.     

Directly assembled quantum dots on one dimension ordered TiO2 nanostructure in aqueous solution for improving photocatalytic activity

One dimension (1D) ordered titanium dioxide (TiO2) nanostructured photocatalysts sensitized by quantum dots (QDs) are fabricated. Their morphologies, crystal structures and photocatalytic properties are characterized by scanning elec-tron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), X-ray diffraction (XRD) and ultraviolet-visible-near infrared (UV-vis-NIR) absorption spectroscopy, respectively. Compared with the original TiO2 nanostructure, the nanostructured TiO2 sensitized by QDs exhibits a good photocatalytic activity for the degradation of methyl orange (MO). The QDs with core-shell structure can reduce the photocatalytic ability due to the higher potential barrier of carrier transport in ZnS shell layer. The results indicate that the proposed photocatalyst shows promising potential for the application in organic dye degradation.     

Confirmation on origin of primary electron in solid state cathodoluminescence

This paper utilizes the brightness-voltage waveform curve to investigate the primary electron in solid state cathodoluminescence. The results indicate that the primary electron is from the interface state of SiO₂/MEH-PPV (Poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene]) under the lower electric field which contributes to the 580-nm emission. With increasing the electric field, the 405-nm emission is obtained, and under this condition, the origin of the primary electron is mainly from tunneling.     

对以并五苯和酞菁铜为不同有源层的有机薄膜晶体管特性研究

通过扫描电镜和X射线衍射对SiO₂衬底上生长并五苯和酞菁铜薄膜的表面形貌进行表征,并得到在SiO₂衬底上生长的并五苯薄膜是以岛状结构生长,其大小约为100nm,且薄膜有较好的结晶取向,呈多晶态存在. 酞菁铜薄膜则没有表现出明显的生长机理,其呈非晶态存在. 还对通过掩膜的方法制作得以酞菁铜和并五苯为有源层的顶栅极有机薄膜晶体管的特性进行了研究. 有源层的厚度为40nm,绝缘层SiO₂的厚度为250nm,器件的沟道宽长比(W/关键词： 有机薄膜晶体管 并五苯薄膜 酞菁铜薄膜 μ_EF)')" href="#">场效应迁移率(μ_EF)     

In掺杂ZnO薄膜的制备及其白光发射机理

采用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了本征ZnO薄膜和In:(Zn+In)分别为5%,8%,10%的ZnO薄膜,对薄膜的晶相结构和光电性质进行了表征并在CIE-XYZ表色系统中计算了不同样品的色品坐标.结果表明:In掺入后ZnO薄膜的择优生长方向由(002)面变为(101)面且面间距变小,当In掺杂量为5%时,In原子完全替代Zn原子;薄膜的电阻率随In含量的增加出现先抑后扬的趋势;随着In的掺入光谱的紫外发射峰红移,并在670 nm左右出现一个新的峰值;In:(Zn+In)为5%样品具有白光发射特性.从第一 关键词： In掺杂ZnO薄膜 溶胶-凝胶 色品坐标 白光发射     

新型稀土配合物红色有机电致发光器件

合成了一种新型的共掺杂稀土Eu-Gd配合物Gd0.5Eu0.5(TTA)3Dipy,将其作为红光发射材料制备了结构为ITO/PVK:Gd0.5Eu0.5(TTA)3Dipy/PBD/Al的有机电致发光薄膜器件,得到了单色性好的红色有机电致发光器件,器件的开启电压为9 V,在16 V时达到最大亮度109 nit.研究了Eu-Gd配合物与PVK共掺杂体系的激发光谱和光致发光谱,结果发现两者间存在着能量转移,表明Gd3 的存在促进了PVK到Eu3 的能量传递.