VFTO 空间场对腔体耦合试验研究*

采用基于时域有限差分法(FDTD)的电磁仿真软件,建立了在VFTO空间辐射场下的二次设备外壳仿真模型,分析了该外壳内不同开孔及孔阵部位耦合场特性。然后通过现场测试,研究了在1000k V GIS变电站中,VFTO空间场辐射下的二次设备内耦合场特性。结果表明:二次设备外壳上的孔阵及缝隙阵对VFTO空间场辐射有明显的抑制作用,且耦合场在腔体内的持续时间要明显大于VFTO空间场在自由空间中的持续时间;二次设备内的PCB板对腔体内的耦合场有一定的抑制作用,因而当腔体内存在PCB时,腔体内耦合场幅值将比空腔时要小,同时由于介质板对高频振荡的抑制作用,耦合场的持续振荡时间也会有所缩短,且发现腔体内的PCB会改变原有空腔内耦合场的主频分布。     

含有介质板的有孔矩形腔体耦合特性分析

采用基于时域有限差分法(FDTD)的电磁仿真软件,对开孔腔体内存在介质基板的情况进行仿真。通过改变介质板与开孔的距离、数量和大小,得到不同情况下的时域与频域结果,并将其与腔体内无介质板的情况进行比较。结果表明:根据时域波形,介质板距离开孔越近,数量越多及尺寸越大,腔内的耦合场越小。当腔体内存在介质板时,会对耦合场的高频振荡有较为明显的抑制作用;与空腔时的频域曲线相比,当腔体内存在介质板时,会改变腔体的谐振点分布,同时会产生新的谐振点。腔体内的介质板能提高腔体的屏蔽效能,特别是对于谐振区域,介质板对场强值的抑制效果更为明显。