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1.
PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究
总被引:9,自引:3,他引:6
邱春文
石旺舟
黄羽中
《液晶与显示》
2003,18(3):201-204
在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍。分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团。
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