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利用飞秒激光的抽运探测技术,研究了单脉冲飞秒激光作用下GeSb2Te4相变薄膜的非晶化过程,测量了相变薄膜的时间分辨光学显微图。所研究的系统为多层薄膜结构100 nm ZnS-SiO2/ 35 nm GeSb2Te4 /120 nm ZnS-SiO2/0.6 mm ,飞秒激光的脉冲宽度为108 fs,波长为800 nm。实验发现相变薄膜从晶态至非晶态的相转变过程可以在 2.6 ns内完成。讨论了相变薄膜的厚度对系统的热传递、快速凝固过程的影响,分析了相关热过程和热效应,解释了抽运探测实验数据,并探讨了单脉冲飞秒激光诱导相变薄膜非晶化的机制。 相似文献
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XRD研究表明 ,作为乙苯脱氢催化剂中的氧化铁活性组分 ,具有反式尖晶石结构的Fe3O4 比刚玉型的α Fe2O3 更易与钾助催化剂发生相互作用 :α Fe2O3-K2O需经850℃煅烧才能生成多铁酸钾 ,但在Fe3O4 -K2O体系中只需700℃即可.而且 ,钾还可抑制Fe3O4 被氧化为α Fe2O3 的进程 ,在空气中 ,Fe3O4 只需300℃煅烧即可明显转化为α Fe2O3 ,但同样的转化在Fe3O4 K2O体系中要经700℃煅烧才会明显地发生.实验结果表明 ,某种形态的多铁酸钾可能是催化剂中的储钾相. 相似文献
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LPCVD法制备碳纳米管薄膜及其场发射性能的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在镍片上直接制备碳纳米管(CNTs)薄膜,系统地研究了生长温度(500~800℃)对碳纳米管薄膜形貌、结构及场发射性能的影响,并对此方法的生长机理进行了分析。当温度从500℃升高到650℃时,碳纳米管的生长速率随着温度升高而增大,而温度继续上升,速率则明显减小。利用扫描电镜(SEM)和拉曼光谱仪表征和检测了碳纳米管薄膜的形貌和结构。碳纳米管的管径、长度、一致性和晶化程度随温度都有明显的变化。同时还对碳纳米管薄膜的场发射特性进行了测试,对其场发射机理进行了深入地探讨,表明温度对碳纳米管的性能有很大影响,并存在最优化的温度条件。实验结果表明碳纳米管薄膜的形貌、结构及其场发射性能可通过生长温度进行一定范围的控制。 相似文献
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本文利用超声喷雾法制备了SnO2:F透明导电薄膜,snCl4·5H2O与NH4F分别用作锡源与氟掺杂,玻璃衬底温度控制在360℃.X射线衍射仪、扫描电镜、紫外可见分光光度计与四探针仪分别用于表征样品的晶体结构、表面形貌、透光率与面电阻.研究结果表明:超声喷雾沉积的SnO2:F薄膜主要为四方晶系的多晶薄膜,并且随着沉积条件的改变,在(110)、(220)晶向出现不同程度的择优取向,其中在(200)晶向上择优取向生长的薄膜面电阻明显低于(110)晶向,最低可达到5 Ω/□,所有样品透光率都较高,在450~1000 nm范围内的平均透光率可达到80~90%. 相似文献
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在低真空(2.3×10-3 Pa)下采用射频磁控溅射法制备了ITO薄膜.溅射温度200 ℃,溅射气氛为氩气和氧气的混合气,溅射靶材为90 %氧化铟、10 %氧化锡的陶瓷靶.用场发射扫描电子显微镜和X衍射仪研究了薄膜的显微结构, 用X射线光电子能谱表征了薄膜的成分.ITO薄膜在可见光范围内有较高的透射率(80 %~95 %).在低工作气压(1 Pa)下,氧气流量比率[O2/(O2+Ar)]越小,薄膜的透射率越高、导电性越好.在高工作气压(2 Pa)下,制备得到低质量、低透射率的无定形薄膜. 相似文献
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