基于埋置式基板的三维多芯片组件的翘曲研究

 采用粘塑性有限元焊球模型以及大形变理论研究了三维多芯片组件(3D-MCM)的翘曲形态特征及其成因,结果表明基板腔室的存在使埋置式基板形成了双弓形翘曲形态,焊球的粘塑性使组件在温度循环中出现了翘曲回滞现象.基板中心空腔能改变基板翘曲形态,有利于减小基板翘曲,并有利于提高倒扣焊器件的热机械可靠性.底充胶能够增强3D-MCM的互连强度,并且能够有效降低3D-MCM温度循环后的残留翘曲度.底充胶的热膨胀系数(CTE)过高可能引发3D-MCM新的失效模式.3D-MCM的云纹干涉实验结果与数值分析结果相符较好.     

基于类似Zigbee技术的环境监测模拟系统设计

提出了一种基于负载调制的ASK载波模式,通过线圈耦合作用,实现无线传感器网络节点以双工模拟通信协议自动组网的方法(类似ZIGBEE技术),并利用此方法设计出了一套对周边环境信息监测的无线监测模拟系统。     

Electroplated indium bump arrays and the bonding reliability

A novel electroplating indium bumping process is described,as a result of which indium bump arrays with a pitch of 100μm and a diameter of 40μm were successfully prepared.UBM(under bump metallization) for indium bumping was investigated with an XRD technique.The experimental results indicate that Ti/Pt(300(?)/200(?)) has an excellent barrier effect both at room temperature and at 200℃.The bonding reliability of the indium bumps was evaluated by a shear test.Results show that the shear strength of the ind...     

电镀法铟凸点制备技术以及可靠性研究

铟凸点阵列通常被用于焦平面阵列与硅的读出电路间的倒装互连中。铟凸点制备技术是焦平面探测器制备的关键技术之一。本文阐述了一种基于电镀的铟凸点制备工艺流程;基于此流程,实验中成功制备出间距为100um,UBM直径为40um的16*16的焊球阵列。同时,实验中利用XRD技术对Ti/Pt对铟的阻挡性做出了研究,结果表明,Ti/Pt (300Å/200Å)在室温和200°C的温度下对铟均具有良好的阻挡性能。利用剪切力实验对铟凸点的可靠性做出了研究,实验结果表明,经过一次回流后,铟凸点的剪切有极大的变化,但之后增加回流次数,其剪切力变化不大,此现象可能与电镀铟内部的织构有关.本文也讨论了铟凸点的倒装工艺。