锗硅器件高频噪声的去嵌算法研究

提出了一种"开路-直通"的级联结构的二端口网络的晶体管高频噪声去嵌结构以及与此相关的基于噪声相关性矩阵的去嵌方法。和传统的需要配备两个"直通"结构的方法相比较,该结构及方法在版图配合的基础上,只需要使用一个"开路"结构和一个"直通"结构,而且多个不同尺寸的被测试器件结构可以共用一个直通去嵌测试结构进行测试及去嵌,结果显示,使用该方法测试及去嵌后的精度几乎不受影响。该方法的意义在于能极大地减少硅片上直通去嵌测试结构的数量从而节省硅片面积;同时,又减少了测试时间、提高了测试效率,极大地降低了成本。     

采用增强P阱和双层外延来抑制寄生双极型晶体管效应的高可靠性RF-LDMOS设计

近20年来,横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS）技术在无线通信基站应用中占据着主导性优势,器件鲁棒性是射频LDMOS最为重要的要求之一,因为器件被使用于非常严酷的电气及发热的环境之中。本文研究了一种采用增强P阱和双层外延来抑制寄生双极型晶体管效应的RF-LDMOS器件,在改善鲁棒性的同时保持器件在高频应用下的高性能。基于此设计,采用基于0.35um CMOS的工艺技术制造了一种应用于全球移动通信系统（GSM）的RF LDMOS器件。实验结果表明,该器件实现击穿电压高于70V,输出功率180W,线性增益高于20dB,在920MHz频率下的附加功率效率高于70%,尤其这个器件能够通过在32V直流供电,功率输出在10-dB压缩点及电压驻波比20:1负载失配条件下的测试,与传统器件结构相比,器件的鲁棒性得到显著的提高。