局部化混合晶向应变硅CMOS结构及其制备方法

描述了混合晶向技术原理以及各种硅衬底晶向的反型层中载流子迁移率特性,分析了应变硅技术对载流子迁移率的增强机理,介绍了DSL这种应变硅技术的工艺实现方法。提出了将混合晶向技术和应变硅技术两者有机结合以提高载流子迁移率的局部化混合晶向应变硅基本思路,分析了基于该基本思路的局部化混合晶向应变硅CMOS结构及其电学性能。最后详细描述了局部化混合晶向应变硅CMOS结构工艺流程,为开发高性能、低功耗CMOS集成电路提供了一个科学合理的工艺制备方法。     

基于SON的MOSFET器件及其工艺方法研究

超薄体SOI器件能够有效抑制短沟道效应,业界认为在纳米器件时代它有可能取代传统体硅器件。但SOI器件的全局化埋氧层特性会使其产生自加热效应,严重时会导致器件开态电流下降、漏电流增加,从而导致器件可靠性降低。具有局部空洞层或介质层的SON器件及其制备方法已成为纳米器件时代的一个研究热点。阐述了SON器件的基本概念,比较了SON器件和传统体硅器件的电学特性。对SON器件的工艺制备方法进行了全面描述,包括早期的SON器件制备方法、基于MSTS的SON制备方法、气体注入SON制备方法,以及完全自对准SON器件制备方法。详细描述了准自对准气体注入SON器件和完全自对准SON器件制备方法的工艺流程。     

三维循序集成CMOSFET结构设计方法研究

详细介绍了三维集成的基本概念,针对二维SoC集成、三维并行TSV集成和三维循序集成的特点进行深入描述和比较.分析了三维循序集成CMOSFET结构的发展现状,包括早期的三维器件级集成设计、基于SOI的平面型CMOSFET三维循序集成设计,以及共包围栅SiNWFET三维循序集成设计.结合各种三维循序集成CMOSFET结构设计方法的特点,提出一种双层隔离三维循序集成SNWFET结构设计方法,为三维集成CMOSFET结构设计提供了一种新的解决方案.