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基于补偿技术的宽频带压电陶瓷驱动电源 总被引:3,自引:1,他引:2
压电陶瓷驱动电源是压电陶瓷微位移驱动器中的重要部分.为完成内燃机燃油喷射、微细电火花加工、扫描探针电子显微镜的高速扫描、打印机及复印机的压电喷墨、高性能硬盘驱动等操作,不仅需要达到一定定位精度,而且对动态性能及有效带宽的要求也越来越高.针对在高速条件下,目前实际应用中的压电陶瓷驱动电源普遍存在带载能力显著下降,闭环频响带宽较窄等缺点,设计并研制了一种新型宽频带压电陶瓷驱动电源.该电源采用了"反馈零点"补偿及噪声增益补偿技术,具有较强的带负载能力、较短的响应时间、较宽的频带及较好的稳定性. 相似文献
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合成了双核银配合物[Ag2(μ-(4-MeC6H4O)2PS2)2(Phen)2](phen为1,10-邻菲咯啉),用元素分析、红外光谱、紫外-可见光谱和热重分析进行了表征,并用X-射线衍射法测定了晶体结构。该晶体属于正交晶系,Pbca空间群,晶胞参数为:a=1.2035(2)nm,b=1.638 3(3)nm,c=2.517 1(5)nm,V=4.963 1(17)nm 3,Dc=1.599 g.m-3,Z=4,F(000)=2 416,μ(Mo Kα)=1.072 mm-1,S=1.066,(Δ/σ)max=0.001,R1=0.037 6,wR2=0.088 8(I>2σ(I))。晶体结构研究表明每个Ag原子与不同配体(4-MeC6H4O)2PS2-的2个S原子和1个phen配体的2个N原子配位形成了具有椅式构型的八元环Ag2S4P2,Ag原子为畸变四面体AgS2N2构型,配合物通过phen的π-π堆积形成了一维结构,分子间的弱氢键C-H…O和C-H…π作用使分子进一步形成了三维网络结构。 相似文献
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DNA分子逻辑电路的设计是DNA计算领域的重要研究方向。该文针对当前双轨分子逻辑电路复杂度高、响应时间慢的问题,提出一种基于域编码策略的DNA逻辑电路设计的新方法。该文设计了“多输入1输出”逻辑运算模块,构建了扇出门和放大器,并利用所构建的电路模块搭建了4位平方根分子逻辑电路,与经典的双轨策略下的4位平方根电路相比,反应物的数量由双轨的130种降低为61种,系统响应时间缩减为双轨的1/24,大大简化了电路的复杂度,提高了系统的响应速度,进一步验证了域编码策略在分子逻辑电路设计中的有效性。为了深度解析基于域编码策略的大规模复杂分子逻辑电路的设计思想,该文构造了“余三码四位减法器”,为设计大规模功能性DNA逻辑电路提供了更多的解决方案。 相似文献