提高微波功率晶体管击穿电压研究

微波功率晶体管其微波参数和击穿电压ＢＶＣＢＯ对外延层参数选取是互相的。现采取超低浓度深化结保护环新工艺较巧妙地解决此矛盾，使得微波功率晶体管的微波参数和击穿电压ＢＶＣＢＯ获得明显改善。     

高浓度砷在硅中扩散分布的估算

为简化砷扩散表面浓度的估算,推导了一个仅依赖于结深 x_i 和薄层电阻 Rs 的简单表示式:Cs=(1.56×10~(17)/(x_i·Rs))。此式是由实验的迁移率数据和砷扩散方程解的多项式近似值而得到的。由五种不同类型砷源的扩散数据表明,当 Cs≥ni 时 Cs 的这个表示式可准确在15%之内。     

宽温区晶体管研究

通过版图设计,成功地把双极型晶体管(BJT)和双极模式静电感应晶体管(BSIT)有机结合在一起,构成BJT-BSIT组合晶体管。BJT电流增益具有正温度系数,BSIT具有负温度系数,利用这两种相反的温度特性,使BJT-BSIT的温度特性得到了改善。实验和理论都表明采用这种器件结构,是实现晶体管宽温区工作的很好途径。     

SEBISIT——一种新型高压抗辐射功率晶体管

SEBISIT器件充分利用了SIT器件的栅的电场屏蔽作用,一方面有效地抑制了高反压下耗尽层向基区内的扩展,实现了高压薄基区;另一方面保证了器件有接近于BV_(cbo)的BV_(ceo),实现了较薄外延层下有较高的BV_(ceo),本文对此器件作了较全面的分析。实验验证了SIT屏蔽效应的存在,并试制出BV_(ceo)为225V,f_T大于400MHz的功率加固器件,其φ0.5为常规高压器件的60多倍,有效地改善了高压晶体管的抗辐射加固性能。     

3.3—3.4GHz28W硅脉冲大功率晶体管的研制

本介绍了采用网状发射极结构，浓硼扩散发射极镇流电阻，输入，人匹配等技术研制出的硅微波脉冲大功率晶体管，该器件在３．１－３．４ＧＨｚ的雷达频带内，脉冲输出功率２８Ｗ，增益７．５ｄＢ，效率３０％。     

2GHz线性输出1.5W硅微波功率晶体管研究

本文介绍双极型晶体管在大信号工作时由于器件内部存在着非线性效应使得输出特性产生了非线性畸变。为了改进器件线性性能,我们采取基区高浓度掺杂,薄而高掺杂的外延层材料提高了器件大电流性能。已研制的器件其参数在2GHz下,P_(-1)≥1.5W、线性增益G_p≥7dB、动态线性范围≥20dB,η_(-1)≥40％。     

近似弹道工作的高速GaAlAs——GaAs异质结双极晶体管

在半绝缘衬底上采用分子束外延(MBE)技术已得到e-b结是突变的GaAlAs-GaAs异质结双极晶体管(HBT)。在I_C=20mA、V_(CE)=8V下已测出增益带宽积f_T为15GHz。在至今HBT的报导中这结果是最好的。它用于高速逻辑线路是很有希望的。     

晶体管基区少子寿命与中子辐照效应研究

本文综述了中子对半导体双极性晶体管的影响。给出了中子辐照硅材料引入缺陷复合体的能级位置、俘获截面和缺陷浓度。并根据中子的辐照效应,提出在双极性晶体管中掺入金、铂杂质,降低辐照前的原始寿命,有助于提高抗中子能力。实验结果表明,掺入金、铂后,可以把器件的抗中子能力从φ_n=3.5×10~(13)n/cm~2提高到φ_n=6×10~(13)n/cm~2(提高了近一倍)。实验还表明,掺金或铂与表面钝化相结合,晶体管抗中子能力将会更强。     

SEBISIT——一种新型抗核辐照高压功率晶体管的研究

本文采用了一种新型结构器件—SEBISIT(Serial Bipolar Static Induction Transistot),成功地改善了高压晶体管的抗核辐射能力。常规高压器件由于具有较大的基区宽度(保证高压工作下基区不穿通)和较厚的外延层(提供足够的击穿电压),故其抗核辐射能力很差。 SEBISIT器件,巧妙地利用了SIT器件的栅的电场屏蔽作用,一方面有效地抑制了高反压下耗尽层向基区的扩展,实现了高压薄基区;另一方面,其屏蔽作用保证了器件有接近于BV_cao为225V.f_T大于400MHZ的加固器件,其中φ_0.5(增益下降至初始值的一半时的辐射剂量)为常规器件的60倍,大大提高了高压器件的加固性能.