Ka波段高电子迁移率晶体管的研制

介绍了35GHz赝配高电子迁移率晶体管的设计、制造与性能。在测试频率为35GHz时,该器件的最小噪声系数为2.46dB,相关增益为6.95dB。这是国内首次设计定型的8mm三端固态有源器件,其性能达到了1990年12月Alpha公司公布的AF040N3-00 HEMT的水平。     

调制掺杂低噪声器件

制造了0.4μm×250μm栅赝配AlGaAs-InGaAs HEMT。器件具有比良的高频、低噪声特性。赝配材料采用分子束外延生长。本文介绍了器件结构、性能并讨论了沟道电子的平均速度。