MEMS市场展望与工艺比较

<正> 与其他高新科技产品一样,微机械系统(MEMS)市场潜力变化莫测。一份最新市场预测报告(表1)指出,在许多应用领域中存在着极好机遇。预计微光电子机械系统(MOEMS)的市场复合年增长率(ACER)为82%/年。拉动 MEMS 市场的关键动力是找到一种廉价的替换工艺取代现在采用的工艺技术。1988年已经完全商品化的加速度传感器和自1990年至现在完全商品化的压力传感器便是     

电子工业部第二十四研究所喜获多项科研新成果

<正>1988年1月9日至11日,电子工业部在永川召开了电子部第二十四研究所1987年度科研成果鉴定会。重庆市李长春副市长和电子部微电子局俞忠钰局长亲临大会并作了重要讲话。 在这次鉴定会上,有12个项目通过了部、局级设计定型,其中有9项在国内居领先地位,6项填补了国内空白,达到八十年代初国外先进水平。 通过部级鉴定的设计定型项目是: S8793型200兆赫÷40/41分频器; S1034型1050兆赫÷10分频器; X1538/X1438电流放大器;     

光刻胶对等离子腐蚀的影响

为了揭示光刻胶在氯化物等离子体中所起的作用,研究了具有不同光刻胶敷层的多晶硅和二氧化硅的腐蚀特性。二氧化硅的腐蚀速率随片子上光刻胶的减少而下降。虽然多晶硅的额定腐蚀速率对光刻胶敷层不敏感,但是二氧化硅掩蔽的多晶硅图形的腐蚀速率要比光刻胶掩蔽的高。推测由于光刻胶腐蚀产生的氯化碳物质是产生这些特性的原因。此外,我们发现,如果采用不受腐蚀的掩膜,那么在用氟化物等离子体腐蚀多晶硅时就有工种负载效应,但是光刻胶存在则抑制这种效应。     

干O_2 HCl氧化法消除硅片上的堆垛层错

本文叙述用于O_2氧化和干O_2 HCl氧化(100)晶面无位错硅片以检查HCl对堆垛层错产生的影响;Frank型(外来型)堆垛层错通过氧化产生;对于两种氧化气氛,低温氧化时缺陷尺寸随氧化温度的增高而增大,而高温氧化时缺陷尺寸则随氧化温度的增高而减小;HCl 干O_2氧化产生的缺陷尺寸明显地小;最后本文作者提出了一种引起空位从SiO_2界面流向层错缺陷以及相反的新的机理,并用它来解释堆垛层错的消除与收缩。     

频率为12千兆赫下噪声系数低达1.68分贝的砷化镓场效应晶体管

日本电气公司研制出了频率为12千兆赫时最小噪声系数低达1.68分贝的砷化镓场效应晶体管(Ohata,k et al,1979 Technical Digest of Intenational Electron Devices Meeting,pp 277～28O),其增益为10.7分贝。 这种晶体管采用栅一漏或栅一源间隙隐埋部份有源层的单元结构,因此源电阻得以降低。其栅长为0.5微米,宽为280微米,有源层载流子浓度为3×10~(17)厘米~(-3),隐埋前的有源层厚度为0.5微米,隐埋后的厚度为0.3微米以上。由于栅电阻低,栅宽分为4条(1条长70微米)。以前的场效应晶体管NE388的源电阻为5欧姆,     

具有氧化铝栅电介质的MOS晶体管

本专利提出一种以AlO_3膜作为栅电极绝缘体的MOS晶体管的制备方法,包括汽相淀积氧化物工艺,以及尔后在湿气气氛中于700℃左右热处理淀积膜。     

64K动态存贮器用的基本工艺技术

64K动态存贮器用的基本工艺技术 。 光刻技术{凳娄袭蕞剂 ;篓茬竺耋磊等倍投影曝光 腐蚀技术 {湿法腐蚀一同时采用等离子千法腐蚀 元件间隔离技术 j选择氧化法 栅氧化技术 i干氧氧化法栅电极技术扩散层形成技术层间绝缘膜形成技术金属布线材料单层多晶硅一双层多晶硅热扩散法一全离子注入法回流技术一层铝64K动态存贮器用的基本工艺技术@黄子伦     

超净技术

超大规模集成电路与大规模集成电路在结构及工艺方面没有多大差别,即使在制造技术上超大规模集成电路部分地采用了电子束曝光及干法工艺等新技术,但在制作方式上与大规模集成电路基本上没有什么不同。因此,在超大规模集成电路制作工艺过程中,所使用的净化间方面并不一定会出现特别新的问题,它与目前大规模集成电路制作工艺过程中所使用的净化间     

1983年国际固体电路会议上发表的动态RAM特性一览表

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硅单晶中的氧和碳在超大规模集成电路技术中的作用

氧在大规模集成技术中既有优点,也有缺点;对切克劳斯基法生长的硅片来说,因为碳起着对器件性能有不利影响的热感生微缺陷核的作用,所以它是有害的;这种微缺陷受晶体生长期间所经受的热过程和硅片中碳浓度控制。因此,可以在不降低硅片中氧浓度的情况下,通过控制晶体生长技术来抑制微缺陷的形成。